1) GaAs source-couple FET logic
GaAs源耦合场效应管逻辑
2) source coupled FET logic
源极耦合场效应管逻辑
1.
In order to meet with the requirements of high-speed,the source coupled FET logic (SCFL) is applied in all of the circuits.
为了适应高速度的要求,所有电路全都采用源极耦合场效应管逻辑来实现。
3) direct coupled FET logic,DCFL
直接耦合场效应管逻辑
4) SCFL logic
源极耦合场效应晶体管逻辑
5) Source Coupled FET Logic(SCFL)
源极耦合场效应管逻辑(SCFL)
6) SCFL(Source Coupled FET Logic)
源级耦合场效应管逻辑(SCFL)
补充资料:场效应晶体管
场效应晶体管 field effect transistor 利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流,其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小,制造工艺简单、温度特性好等特点,广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管(MESFET)是两种最重要的场效应晶体管,分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 |
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条