1) asymmetrical coupling double quantum well (ACDQW)
非对称耦合双量子阱(ACDQW)
2) Asymmetry coupling double quantum well (ACDQW)
不对称耦合双量子阱(ACDQW)
3) asymmetric coupled-quantum-well
非对称耦合量子阱
1.
In this paper the delocalized behaviours of an asymmetric coupled-quantum-well structure (a-CQWS) have been studied and the transfer process of the electrons between the two wells has been analyzed theoretically based on V-type system.
基于V形三能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称耦合量子阱退局域化现象 ,并具体分析了导带中电子作阱间振荡所产生的亚毫米辐射和激子复合所产生的近红外发射物理过程 理论结果表明 :阱间电子波包振荡等效为一经典阻尼振子 ,其寿命由载流子与纵向光学声子散射时间和电子穿过势垒的渡越时间决定 ,所产生的亚毫米波辐射强度衰减仅与阱间阻尼系数有关 ,其线性服从洛仑兹分布 由带间激子复合所产生的近红外辐射频率随电子阱间振荡频率增加而减小 ,表现为量子限域斯塔克红移 ,即非对称量子阱在近红外发光区特性随反向偏压而变 这一结果预示着耦合量子阱作为高速调制器和可调谐光源在光通信中具有广阔的应用前
4) asymmetric coupled double quantum wells
不对称耦合双量子阱
5) symmetrically coupled double quantum well
对称耦合双量子阱
1.
A variational method is adopted to investigate the binding energies of excitons and pressure effect in symmetrically coupled double quantum wells of GaAs/AlxGa1-xAs by considering the effect of the ternary mixed crystal.
考虑三元混晶效应,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应,并计算激子结合能随阱宽和中间垒宽的变化关系以及Al组分的影响。
6) symmetric coupled quantum well
对称耦合量子阱
1.
Research on energy level properties of symmetric coupled quantum well and optimization for quantum well structures;
对称耦合量子阱能级特性研究与量子阱结构优化
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条