1) Asymmetric quantum wells
非对称量子阱
1.
Rashba effect in PbTe/PbSrTe asymmetric quantum wells;
PbTe/PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应
2.
The CdSe/ZnSe asymmetric quantum wells sample were grown on GaAs substrates by MOCVD.
利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性。
2) asymmetric quantum well
非对称量子阱
1.
Study on linear and third-order nonlinear optical absorption in special asymmetric quantum wells;
非对称量子阱中线性和三阶非线性光吸收系数的研究
3) asymmetric double-quantum-well
非对称双量子阱
1.
The understanding of the temperature dependence of carrier dynamics in an asymmetric double-quantum-well is essentially important for the realization of room temperature efficient photonic devices.
非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义。
4) asymmetrical coupling double quantum well (ACDQW)
非对称耦合双量子阱(ACDQW)
5) asymmetric coupled-quantum-well
非对称耦合量子阱
1.
In this paper the delocalized behaviours of an asymmetric coupled-quantum-well structure (a-CQWS) have been studied and the transfer process of the electrons between the two wells has been analyzed theoretically based on V-type system.
基于V形三能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称耦合量子阱退局域化现象 ,并具体分析了导带中电子作阱间振荡所产生的亚毫米辐射和激子复合所产生的近红外发射物理过程 理论结果表明 :阱间电子波包振荡等效为一经典阻尼振子 ,其寿命由载流子与纵向光学声子散射时间和电子穿过势垒的渡越时间决定 ,所产生的亚毫米波辐射强度衰减仅与阱间阻尼系数有关 ,其线性服从洛仑兹分布 由带间激子复合所产生的近红外辐射频率随电子阱间振荡频率增加而减小 ,表现为量子限域斯塔克红移 ,即非对称量子阱在近红外发光区特性随反向偏压而变 这一结果预示着耦合量子阱作为高速调制器和可调谐光源在光通信中具有广阔的应用前
6) ZnCdSe/ZnSe ADQW
ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱
1.
Each period of ZnCdSe/ZnSe ADQW includes one narrow ZnCdSe quantum well, one thin ZnSe barrier and one wide ZnCdSe quantum well.
用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条