1) ITO
掺锡的氧化铟
1.
The accurate temperature control method uses the ITO thin film to heat up the glass and uses PID to control the heating voltage by the output voltage of A/D circuit board.
文中介绍了用掺锡的氧化铟导电膜作为加热方式并采用比例积分微分方式通过A D卡输出电平控制加热电压 ,实现高精度温控 ,重点是针对小热容加热体的特点采用相应的措施通过比例积分微分控制实现精确控温。
2) Sn-doped
掺锡
3) Sn-doped α-Fe2O3
掺锡α-Fe2O3
1.
Using analytically pure Fe2(SO4)3(AP)and NH3·H2O(AP)as raw materials,Sn-doped α-Fe2O3 powders with corundum structures were prepared by homogenous co-precipitation method under different Fe3+ concentrations,ratios of Sn4+:Fe3+,pH values and heat treatment temperatures.
H2O为主要原料,控制不同的Fe3+浓度、Sn4+:Fe3+、溶液pH值及烧结温度,利用均匀共沉淀法制备了掺锡α-Fe2O3粉体,并用厚膜工艺将粉体涂于云母基片上制成了高灵敏度甲烷气敏元件。
4) indium tin oxide
掺锡氧化铟
5) BaTiO_3 doped with Sn
掺锡钛酸钡
1.
Preparation of nano BaTiO_3 doped with Sn powder by special liquid-phase precipitation method;
用特殊液相沉淀法制备掺锡钛酸钡纳米粉体
6) doped-Sn TiO2
掺锡二氧化钛
参考词条
补充资料：银-氧化锡-氧化铟
分子式：
CAS号：
性质：银基含氧化锡(SnO2)和三氧化二铟(In2O3)的复合电接触材料，抗熔焊性和耐磨性能均良好。In2O3可改善电接触性能。如Ag-8SnO2-15In2O3的密度9.85～10.4g/cm3。布氏硬度785～1176.8MPa。电阻系数3.00～3.50×10-2Ω·mm2/m。用内氧化法制造。优良的中等负荷电接触材料，作断开电接点。
CAS号：
性质：银基含氧化锡(SnO2)和三氧化二铟(In2O3)的复合电接触材料，抗熔焊性和耐磨性能均良好。In2O3可改善电接触性能。如Ag-8SnO2-15In2O3的密度9.85～10.4g/cm3。布氏硬度785～1176.8MPa。电阻系数3.00～3.50×10-2Ω·mm2/m。用内氧化法制造。优良的中等负荷电接触材料，作断开电接点。
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