1) surface mix
表面掺杂
1.
The effect of the surface mix and the high-temperature sintering on the semi -conductivity mechanism of TiO2 materials has been studied.
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响，结果表明：TiO2材料在高温条件 下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb 5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目 ，改变TiO2材料的能带结构，降低材料的固有阻值，使TiO2材料半导化。
2.
The effect of the surface mix and the high-temperature sintering on the semi-conductivity mechanism of TiO2 materials has been studied.
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响,结果表明:TiO2材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位;掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体,从而增加材料的导电粒子数目,改变TiO2材料的能带结构,降低材料的固有阻值,使TiO2材料半导化。
2) surface passivation with high doping levels
重掺杂表面钝化
3) surface doping
表相掺杂
4) interface doping
界面掺杂
1.
The interface doping plays a critical role in determining GMR, due to the spin-dependent scattering of conductance electrons at interface.
改变材料的界面状况来影响其磁电阻特性是一种重要的研究手段,这种方法目前已经在界面掺杂纯金属和纳米氧化物层方面取得重要进展,本文作为这方面的一个补充,首次尝试在Cu/Co/Cu/Co/Cu和NiO/Co/Cu/Co/Cu结构中,用纳米氮化物层剪裁材料的界面状况,获得了一些新的实验结果。
5) delta dope
平面掺杂
1.
Based on the employment of double heterojunction,double delta doped design,the DH-PHEMT can enhance the carrier confinement,increase the electron gas density,and improve the electron gas distribution,which is beneficial to the device performance.
78As单平面掺杂 PHEMT器件 (SH - PHEMT)和双平面掺杂 PHEMT器件(DH- PHEMT) ,并对其特性进行了比较 。
6) double planar dope
双平面掺杂
1.
By using linear E f n s approximation,a new analytical charge control model of the double heterojunction double planar doped high electron mobility transistor (HEMT) is deduced based on Poisson s equation.
利用泊松方程以及异质结能带理论 ,通过费米能级 -二维电子气浓度的线性近似 ,推导了基于双异质结双平面掺杂的 HEMT器件的电荷控制模型 。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条