补充资料：金属有机化合物气相外延

金属有机化合物气相外延
metalorganic vapor phase epitaxy

物的缺点是价格昂贵。③在图形衬底上或在聚焦离子中选择生长化合物半导体薄膜材料。选择外延是一种直接控制横向尺寸的外延方法。它可以在亚微米级水平上从 实现典型的平面结构沉积至完成任意横向侧面沉 积。MOVPE在本质上通常是平面结构生长的。 但如果应用了卤化物为基的MO源，例如(CZHS) GaCI和(CZHS)ZAICI，则可以进行广阔的生长条 件范围内的GaAs和GaAIAs的选择外延。这样 形成的小面积、亚微米的选择异质结构表明，它是 选择外延在横向限定生长结构中最早应用的。③利 用应变层在超出晶格匹配的体系中扩大外延材料的 生长和应用。这方面原子层外延(ALE)是制备应 变层超晶格(SLS)结构的有力手段，因为ALE可 以被逐层生长模型的自限制机理控制为单原子层生 长。④生长新的化合物材料体系，例如GalnAssb 和GaAIA息Sb，InAssb，GalnP和AIGalnP， GaN和AIN，SIGe，Znse和CdZnTe/ZnTe以 及HgCdTe/CdTe等。此外，MOVPE也用于试制高温超导薄膜。由于MOVPE和LPE一样，需要足够的相图，溶解度和要求与衬底的晶格匹配，因此MOVPE的高温超导薄膜生长过程比较复杂，使之只获得部分的成功。MOVPE生长高温超导薄膜的质量较高和生长速率较快。今后在这方面尚需改进MOVPE技术，优化MO源和了解MO源的分解和表面反应等。在MOVPE材料制成的新器件中，主要有面发光激光器、短波长(0.62一0.67召m)的GalnP/GaAllnP发光管和激光器、应变量子阱激光器和量子阱红外探测器等。

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