1) nitrided gate oxide
氮化栅氧化介质
2) N_2O annealed H_2-O_2 grown dielectric
氮化H2-O2合成栅介质
3) nitride/oxynitride gate dielectric stack
氮氧叠层栅介质
4) SiO_xN_y gate dielectric
氮氧硅栅介质
6) carbonitriding medium
碳氮化介质
补充资料：氮化硅晶须补强氮化铝陶瓷基复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以氧化铝陶瓷为基体，氮化硅晶须为增强体的复合材料，是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须，可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中，加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%，断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。
CAS号：
性质：以氧化铝陶瓷为基体，氮化硅晶须为增强体的复合材料，是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须，可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中，加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%，断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条