1) DC I-V characteristics
直流I-V特性
2) I-V chara
直流I-V特性曲线
3) I-V properties
I-V特性
1.
Study of I-V properties in Si/SiO_2 multi-layer films;
Si/SiO_2多层膜的I-V特性研究
2.
Effect of microstructure on the I-V properties of Si/SiO_2 film
薄膜结构对Si/SiO_2 I-V特性的影响
4) I-V characteristics
I-V特性
1.
The current transport mechanisms are analyzed by the I-V characteristics curve.
采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析。
2.
I-V characteristics show that surface leakage of n~+-on-p-HgCdTe photovoltaic detectors was reduced by surphur-passivation.
I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。
3.
Simulation results show that the model with channel-length modulation effects match the measured I-V characteristics in the saturation region.
提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。
5) V-I characteristics
V-I特性
1.
To evaluate PV module performance under actual illumination and temperature operating conditions over the course of a day,V-I characteristics of PV module,operating temperature,ambient temperature and solar radiation were measured.
为了研究在户外工作条件下太阳电池组件的实际工作性能,在一天过程中的太阳电池组件V-I特性、组件温度、环境温度和太阳辐照度被测试。
6) I-V characteristic
I-V特性
1.
Fabrication and I-V characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors;
ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究
2.
I-V characteristic of phonon-cooled hot-electron bolometer;
超导HEB的I-V特性模拟
3.
Electrochemical C-V testing method was adopted,the I-V characteristic of InP/InGaAs/InP epitaxial structure was measured and analyzed,and the heterojunction interfacial electrical properties were also characterized and analyzed.
采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。
补充资料：磁放大器直流调速
磁放大器直流调速
speed control of DC mo-tor by magnetic amplifier
负载串联，然后通过桥式整流接到交流电压U.。 控制信号U。为。时，交流绕组加上交流电源后，两个铁芯均接近饱和但未饱和，电源电压全部降在交流绕组上，Ud输出接近为。。 当电压为正半周时，控制绕组上加有如图极性的控制信号U。，则铁芯2磁通将减少，铁芯1磁通将增加，并将出现饱和。一旦饱和，则Lol及Lal均无感应电动势而相当于一根导线，再加上控制电源内阻很小，Lol就相当于把LcZ短路。短路绕组的存在迫使铁芯2里的磁通不能变化，因而交流绕组LaZ两端的感应电动势亦为0.由于Lal、LaZ两个交流绕组的感应电动势均为。，所以电源电压U.从饱和瞬时开始将被输出到与交流绕组串联的直流电动机电枢两端。当交流电源工作于负半周时，则LaZ先达到饱和，强迫Lal中的磁通不变，翰出负电压，通过二极管整流桥把翰出的电压整流成单方向的脉动电压Ud。┌───┐│! ││卜肠盈││广 │└───┘ ┌──┐┌───┐│凡 ││! ││〕忆││巨肠盈││三 ││广 ││ │└───┘│ │ └──┘泣 磁放大界供电进行直流调速的原理图 若控制信号加大，那么铁芯中磁通达到饱和的时间提前，翰出电压就相应加大.将整流后的电压供给直流电动机电枢或励磁绕组时，直流电动机的转速就得到控制。其调速范围一般为1，l。，在有速度反债时可达到1:100. 磁放大器按照铁芯结构的不同类型可分为O型、n型和111型，按容t来分，10 kw以下一般用单相线路，大容t的要用三相线路，容量可达800 kw，在要求可逆时则需采用两相线路。 由于磁放大器铁芯是由硅钢片构成，无旋转部分，控制绕组与主回路互相绝缘，且可以设计成多个控制绕组进行复合控制，所以结实可靠，过载能力强，噪声小，控制绕组之间没有电的联系，控制灵活，因而适合于各种需要改变电压的自动控制场合。 20世纪60年代左右出现了晶体管，它不像磁放大器那样有铁芯和绕组，相比之下具有体积小、材料省、重t轻、效率高、放大倍数大的优点，所以磁放大器直流调速已被晶体管相位控制直流调速所取代(见晶闸借相位拉制立流调速)。C .fangdoq一Zhillu tloosu磁放大器直流调速(speed eontrol ofL〔motor by magnetie amplifier)利用磁放大器输出电压可调的直流电，实现直流电动机调速的技术。 磁放大器的工作原理和进行直流调速的原理图如图所示。图中虚线框为磁放大器，它有两个铁芯1和2.每个铁芯上装有两个绕组，一个称控制绕组L。，一个称交流绕组La，两个控制绕组反极性串联后接到低内阻直流控制电压队，两个交流绕组顺极性相连后与
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条