1) loss of inter-face matching
接口失配
2) assembly interface
装配接口
1.
This paper provides a new strategy of automatic assembly based on model and a whole product automatic assembly model with wide applicability, which adopts the concept of assembly interface.
提出了一种全新的模型自动装配策略,设计了具有通用性和完整性的产品自动装配模型,该模型引入装配接口概念,从装配关系出发,将产品自动装配模型划分为装配接口模型、定位关系模型和产品装配关系模型三个层次,主要解决装配信息的提取和独立于产品模型进行表达的问题。
3) interface matching
接口匹配
1.
Function solving for conceptual design of mechatronic system based on interface matching;
基于接口匹配的机电系统概念设计功能求解
2.
Automatic Web Service Composition Based on Multilevel Semantic Interface Matching;
基于多层次接口匹配的语义Web服务自动组合研究
3.
The interface characters matching based typical course of function principle solution for mechatronic systems,concurrent strategy of function principle solution for mechatronic elements and interface matching were advanced.
建立了机电一体化系统功能原理解的接口特征模型,提出了基于接口特征匹配的机电一体化系统功能原理求解典型进程、机电单元功能原理求解与接口匹配并行策略。
5) interface kit
接口配套
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条