1) ChemFET
化学场效应管
1.
Fabrication and Characterization of ChemFET Ammonia Gas Sensor;
化学场效应管氨气传感器的制备及特性研究
2.
A new gas-sensing device--LB-OS chemFET has been designed on which the Pr( Pc *)~{*-~}2/OA mixed LB film is deposited replacing the gate metal of conventio.
本文以一种新型有机半导体材料———三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物 (Pr[Pc(OC8H17) 8]2 )为气敏材料 ,利用Langmuir Blodgett(LB)超薄膜技术 ,将Pr[Pc(OC8H17) 8]2 以 1:3的配比与十八烷醇 (OA)的混合LB多层膜(Pr[Pc(OC8H17) 8]2 /OA)拉制在自行设计的场效应晶体管上 ,形成了一种新型的以LB膜取代通常的MOSFET中栅金属的化学场效应管器件 。
2) GaAs MESFET
砷化镓场效应管
1.
STUDY OF POTENTIAL FAILURES OF THE GaAs MESFET OWING TO ELECTROSTATIC DISCHARGE;
砷化镓场效应管的潜在性失效
3) MOSFET
['mɔsfet]
场效应管
1.
MOSFET SWITCHING PILOT SOURCE;
开关式场效应管维弧电源的设计
2.
DESING OF ZX7-125S MOSFET INVERTER WELDING MACHINE;
ZX7－125S型场效应管逆变焊机的研制
3.
MOSFET invertor characteristics of robot arc welding system;
机器人场效应管式弧焊逆变器性能研究
4) FET
场效应管
1.
Comparative Study of the Functions of FET and JET;
场效应管和三极管的比较研究
2.
Discussion of the Teaching Method of FET;
场效应管工作原理课堂教学方法和思路的探讨
3.
Extraction of FET Small-Signal Model Parameters Based on Hybrid Genetic Algorithm;
基于遗传算法的场效应管模型参数的提取
5) field-effect transistor
场效应管
1.
A DNA field-effect transistor was manufactured.
利用亲和素作为连接臂将生物素修饰的单链DNA固定在传感器的栅区表面上,制成DNA场效应管生物传感器,研究DNA场效应管的稳定性和特异性,并测定该传感器对不同浓度DNA互补链检测的效应值。
2.
Aiming at the shortcoming of the typical field-effect transistor (FET) switch, this paper proposes a kind of novel FET switch.
针对典型场效应管开关电路的缺点 ,提出了一种新的场效应管开关 。
6) field effect transistor
场效应管
1.
Fabrication and I-V characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors;
ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究
2.
High stability sine-wave generator with field effect transistor;
采用场效应管稳幅的高稳定度正弦波信号源
3.
The trouble of disable opening X-ray tube in ARL9400 X-ray fluorescence spectrograph caused by destroied field effect transistor was discussed.
介绍由于X射线荧光检测器探头的前置放大电路场效应管损坏而导致X射线光管不能打开的故障原因及故障排除方法。
补充资料：场效应晶体管
| 场效应晶体管 field effect transistor 利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 |
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参考词条