1) Si/Ge interface interdiffusion
Si/Ge界面互扩散
2) Ge/Si interdiffusion
Ge/Si互扩散
3) Si-Ge intermixing
Si-Ge原子互扩散
4) Ge-Si interface
Ge-Si界面
5) interfacial behaviors
界面互扩散
6) interface diffusion
界面扩散
1.
The antiferromagnetic coupling and interface diffusion in Fe/Si multilayers;
Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散
2.
In order to clarify the scale-dependent interface diffusion behavior,the resistivity (ρ) and the specular reflection coefficient (P) of Ni/Al nanomultilayers deposited by magnetron sputtering as a function of the periodic number (n),Ni/Al modulated ratio (R) and modulated period (L) have been characterized by Fuchs-Sondheimer (FS)-Mayadas-Shatzkes (MS) model.
采用FS-MS模型研究了Ni/Al纳米多层膜的薄膜电阻率ρ及镜面反射系数P随周期数n、Ni/Al调制比R和调制波长L的演变规律,从而表征了多层膜界面扩散行为的尺度依赖性。
补充资料：互扩散
分子式：
CAS号：
性质：多组分体系在固相反应过程中，不同组分在固体中的扩散。互扩散对反应的进行是有利的。因此，常常需要了解各组分的扩散对固相反应过程总的影响，可用互扩散系数表示。例如，在二元合金AB中，互扩散系数可以表示成各组分的扩散系数之和：D=DANB+DBNA。其中，D是某组分的扩散系数，N为体系中某组分的摩尔分数。在实际研究和考察固相反应时，常涉及到这种多种组分体系，互扩散更具有意义。但在一些特定情况下，如体系中各组分的扩散系数或摩尔分数差别很大时，互扩散系数接近于部分扩散系数。
CAS号：
性质：多组分体系在固相反应过程中，不同组分在固体中的扩散。互扩散对反应的进行是有利的。因此，常常需要了解各组分的扩散对固相反应过程总的影响，可用互扩散系数表示。例如，在二元合金AB中，互扩散系数可以表示成各组分的扩散系数之和：D=DANB+DBNA。其中，D是某组分的扩散系数，N为体系中某组分的摩尔分数。在实际研究和考察固相反应时，常涉及到这种多种组分体系，互扩散更具有意义。但在一些特定情况下，如体系中各组分的扩散系数或摩尔分数差别很大时，互扩散系数接近于部分扩散系数。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条