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1)  SiO2-Si interface
SiO2-Si界面
2)  Si SiO 2 interface
Si-SiO2界面
3)  Si/SiO 2 int erface
Si/SiO2界面
4)  SiO2/Ta interface
SiO2/Ta界面
1.
The results show that the high-energy deposited technique resulted in an "intermixing layer" at the SiO2/Ta interface due to a thermodynamically favorable reaction: 15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3 .
结果表明:磁控溅射这种高能量制膜技术导致了在SiO2/Ta界面处发生了化学反应:15SiO2+37Ta=6 Ta2O5+5 Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。
5)  interfacial Si
界面Si
6)  SiC/Si interface
SiC/Si界面
补充资料:acetic acid, dianhydride with silicic acid (h4sio4) bis(1,1-dimethylethyl) este
CAS:13170-23-5
分子式:C12H24O6Si
分子质量:292.40
沸点:102℃(5 t
中文名称:二叔丁氧二乙酰氧基硅
英文名称:Acetic acid, dianhydride with silicic acid bis(1,1-dimethylethyl) ester
di-tert-Butoxydiacetoxysilane
di(tert-butoxy)diacetoxy-Silane
acetic acid, dianhydride with silicic acid (h4sio4) bis(1,1-dimethylethyl) este
di-t-butoxydiacetoxysilane
Acetic acid,dianhydride with silicic acid bis(1,1-dimethylethyl)ester
Silane,di(tert-butoxy)diacetoxy-
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参考词条