1) average bond energy
平均键能
1.
It is concluded that the average bond energy E m is equivalent to the Fermi level E F on free electronic band.
根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。
2.
In free electron band model of three different crystal structures,face\|centered cubic (fcc),body\|centered cubic (bcc),and hexagonal close\|packed (hcp) structures,we fine that the average energy of the four lowest band eigenvalues and the five sub\|low band eigenvalues (called as average bond energy E m) is rather close to Fermi level E F.
在面心立方 (fcc)、体心立方 (bcc)和六角密堆积 (hcp) 3种不同结构晶体的自由电子能带模型中 ,发现 4个最低能带与 5个次低能带本征值的平均能量 (称为平均键能 ,Em)与费米能级 (EF)相当接近 ;并进一步在hcp结构的钛(Ti)、锆 (Zr)和铪 (Hf)以及bcc结构的铁 (Fe)等金属中 ,采用从头赝势能带计算方法和平均键能计算方法 ,证实在这些金属的实际能带中 ,平均键能 (Em)值仍然非常接近于费米能级 (EF)值 。
3.
One of the model theories for band aligning is average bond energy model,in which the average bond energy is used as a reference level for determining valence band offsets.
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。
2) averaged bond dissociation energies
平均键离解能
3) Mean stored energy
平均键畸变能
5) average bond energy method
平均键能方法
6) average bond length
平均键长
1.
A statistical model,which calculates the average bond lengths in as-grown and fully annealed Ga1-xInxNyAs1-y alloys when the constituent proportion is an integer and x∶y≥4,is proposed.
提出了Ga1-xInxNyAs1-y材料中组分比为整数且x∶y≥4时,直接生长和完全退火后各二元化合键平均键长的统计模型。
补充资料:共价键键能
分子式:
分子量:
CAS号:
性质:在标准状况下,双原子分子的解离能就是它的键能。它反映了该键的强度。对于多原子分子,由于断开一个键分成两部分时,每一部分都可能有键或电子的重排,因而键的解离能并不等于键能。一个分子中全部化学键键能的总和等于该分子分解为组成它的全部原子时所需要的能量。据此,可由解离能实验值归纳得到共价键键能平均值。例如,CH4分解为1个C和4个H所需能量为1665千焦/摩,由此得C—H键的键能EC-H=1/4 ×1665=416.5千焦/摩。
分子量:
CAS号:
性质:在标准状况下,双原子分子的解离能就是它的键能。它反映了该键的强度。对于多原子分子,由于断开一个键分成两部分时,每一部分都可能有键或电子的重排,因而键的解离能并不等于键能。一个分子中全部化学键键能的总和等于该分子分解为组成它的全部原子时所需要的能量。据此,可由解离能实验值归纳得到共价键键能平均值。例如,CH4分解为1个C和4个H所需能量为1665千焦/摩,由此得C—H键的键能EC-H=
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参考词条