1) GaAs material
GaAs材料
1.
The developments of technologies,production,applications,market situation and developmental trend and prospects of global GaAs material are reviewed.
综述了世界GaAs材料的生长技术发展状况、生产状况、应用和市场状况及发展趋势。
2.
Utilizing the penetration rate of GaAs material,the optical-fiber temperature sensor has good properties of insulation,anti-electromagnetic interference and anti-corroding.
利用半导体GaAs材料透过率特性构成的光纤测温系统具有抗电磁干扰、抗腐蚀、绝缘性好等特点 ,但精度不够高。
2) GaAs bulk material
GaAs体材料
3) GaAs based microstructure materials
GaAs基微结构材料
4) GaAs/InP heteroepitaxy
GaAs/InP异质材料
5) AlGaAs/GaAs quantum well
AlGaAs/GaAs量子阱材料
6) GaAs/InP heteromaterial
GaAs-InP导质材料
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条