1) offset gate MOS
偏置栅MOS
2) Offset-gate HVMOS
偏置栅高压MOS
3) floating gate MOS
浮置栅MOS
4) screen-grid bias
帘栅极偏置
5) double gate MOS
双栅MOS
1.
Quantum modeling for nanoscale double gate MOSFETs based on Green s function;
纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟
6) trench MOS
槽栅MOS
补充资料:偏置屈服应力
分子式:
CAS号:
性质:应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的(偏置)。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点,故作此规定。以统一衡量材料的力学性能,便于互相比较。当然,规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
CAS号:
性质:应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的(偏置)。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点,故作此规定。以统一衡量材料的力学性能,便于互相比较。当然,规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条