1) semiconductor silicon material
半导体硅材料
1.
In view of the dramatic development of semiconductor integrated circuit industry, the authors summarize the development process of semiconductor silicon material in the recent 20 years.
针对半导体集成电路行业的迅猛发展,概述了作为半导体工业基础的半导体硅材料在近20年来的发展状况,着重阐明了当代化学技术及其产品对硅材料制造业发展的重要作用,以及随着硅材料业向更高层次的迈进,给化学化工行业带来的挑战与机遇。
2) SiGe semiconductor material
锗硅半导体材料
4) semiconductor material
半导体材料
1.
Fabrication of photonic crystal on semiconductor materials by using focued ion-beam;
聚焦离子束研制半导体材料光子晶体
2.
Development and prospect of semiconductor materials;
半导体材料的发展及现状
3.
Analyse the standard of SEMI semiconductor material;
SEMI半导体材料标准的分析
6) semiconductor materials
半导体材料
1.
New progress of studies on semiconductor materials;
半导体材料研究的新进展
2.
This work analyzes the potentiality of increasing the conversion efficiency for the solar cells materials based on GaN semiconductor materials doped by Cr.
分析了掺Cr的GaN半导体材料作为太阳能电池材料增加转换效率的可行性。
3.
Development on photovoltaic conversion semiconductor materials has been a focus for researchers.
太阳能是一种取之不尽、环保的可再生能源,有关光伏转化半导体材料的开发已成为研究热点。
补充资料：半导体硅材料
半导体硅材料
semiconductor silicon
bondaot}gu}eo一1100半导体硅材料(semieonduetor Silieon)最主要的元素半导体材料，包括硅多晶、硅单晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或间接用于制备半导体器件。 特性硅为周期表中IV族元素。在地壳中主要以二氧化硅和硅酸盐形式存在。丰度为27.7%，仅次于氧。硅的原子量为28·。5，25‘c下密度为2.3299/c m3，具有灰色金属光泽，较脆，硬度6.SMohS，稍低于石英熔点1410C，在熔点时体积收缩率9.5%。常温下硅表面覆盖一层极薄氧化层，化学性质不活泼。高温下与氧反应生成无定形二氧化硅层，在器件工艺中常用作掩蔽层和隔离层。硅不溶于酸，但溶于HNO。和HF的混合溶液中，常用这种溶液作腐蚀液。硅稍溶于加温的碱溶液中，还可采用等离子腐蚀技术来腐蚀硅。硅有结晶态和非晶。常温下硅单晶介电系数n.7，对光具有高的折射率(n一3.42)，反射损失较大，涂以适当减反射膜可大大提高透过率。硅中的杂质会引起光的吸收，氧和碳的吸收带在室温下分别位于1107和6o7em一‘处。 制备结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(S 102)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%一99瑞)，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅单晶。通常用直拉法或区熔法由硅多晶制得硅单晶。目前世界上直拉硅单晶和区熔硅单晶的用量约为9:1，直拉硅主要用于集成电路和晶体管，其中用于集成电路的直拉硅单晶由于其有明确的规格，且其技术要求严格，成为单独一类称集成电路用硅单晶。区熔硅主要用于制作电力电子元件，纯度极高的区熔硅还用于射线探测器。硅单晶多年来一直围绕着纯度、物理性质的均匀性、结构完整性及降低成本这些间题而进行研究与开发。材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺，同时与后续工序的砧污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂，特别是氧、碳含量的分布及其行为，在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料，使均匀性得到很大改善;对区熔单晶采用中子擅变掺杂技术，大大改善了均匀性。在结构完整性方面，直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺，目前工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经30。
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参考词条