1) Inversion layers model
反型层模型
2) inversion layer charge model
反型层电荷模型
1.
A new inversion layer charge model for SiC MOSFET is established by introducing the effect of excited states of impurities.
引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型。
3) Canopy reflectance model
冠层反射模型
1.
Physically-based algorithms, such as those developed with the canopy reflectance model, overcome the abovementioned shortcomings; .
基于物理的冠层反射模型的LAI反演方法克服了上述弊端,但是由于反演过程是病态的,模型反演结果一般不唯一。
4) surface model tomography inversion
表层模型层析反演
5) inversion layer
反型层
1.
Based on the approximation of triangular potential field,the analytical formula for thewave function in a MOS inversion layer is presented,and the electron distribution by the quantum ef-fect is calculated.
根据三角形势场近似，给出了ＭＯＳ反型层波函数的解析表达式，计算了量子化效应作用下反型层电子的空间分布，并与经典理论进行了比较。
2.
On the basis of Chu s experimental model, the experimental data were fitted and the subband structure in the n-type inversion layer was obtained.
２４）ＭＩＳ器件，用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的Ｃ—Ｖ谱，根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱，获得了反型层电子子能带结构，与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致。
6) double-layer reaction-diffusion model
双层反应-扩散模型
补充资料：反型层
分子式：
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条