1) Doped semiconductor
杂质半导体
1.
From the charge neutrality,by analyzing the relation of impurity density and minority carrier con-centration under different temperature,calculating the rate of unionized dopant,ionization of dopant in single-doped semiconductor is determined and the formulae of carrier concentrations are deduced.
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度相当,可有效区分饱和电离区、过渡区以及本征电离区并得到有效的载流子浓度计算公式;通过计算未电离杂质的比率可有效判定杂质半导体是处于低温弱电离区、中间电离区或饱和电离区,并得到其载流子浓度计算公式;最后通过实例说明判定方法的应用并计算相应的载流子浓度。
3) pure semiconductor
纯半导体，无杂质半导体
4) semiconductor impurity engineering
半导体杂质工程
5) impurity semi-conductor
(含)杂质半导体[冶]
6) impurity semiconductor
含杂质半导体
补充资料：半导体中的杂质
见半导体物理学。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条