1) Eg (band-gap energy)
禁带宽度Eg
2) band gap
禁带宽度
1.
Measuring the band gap of silicon using silicon photocells;
利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度
2.
It also showed that the optical absorption edge of the annealed film appeared shifted towards the longer wavelength side and the band gap decreased by 0.
光学性质显示退火处理的薄膜吸收边缘明显的向长波的方向移动,发生红移现象,而且禁带宽度减少了0。
3.
Based on the simulation, the best band gap and the optimal thickness of each junction were carried out.
本文对a Si∶H叠层薄膜太阳电池进行了计算机模拟,提出各层电池的禁带宽度最佳匹配以及各层电池本征层的最佳厚度的设计方案。
3) Bandgap
['bændɡæp]
禁带宽度
1.
Relationship Between Intrinsic Breakdown Field and Bandgap of Materials;
本征击穿电场与禁带宽度的关系
2.
Determined the bandgap of ncSi using a heterojunction CV;
电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度
3.
Determination of bandgap in SiGe strained layers using a pn heterojunction C-V;
pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度
4) band-gap
禁带宽度
1.
The band-gaps of BN(n,0) nanotubes also increase with the increase of n and converge at 5.
BN(n ,0 )纳米管的禁带宽度随着n的增大而增大 ,并收敛于 5 。
2.
The transmission spectra of ZnS films were measured,optical constants and band-gap of ZnS films were obtained.
利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度。
5) energy gap
禁带宽度
1.
Hence,the energy gap E .
根据 Aspnes的“三点法”,由谱图计算出了γ-Mn O2 的禁带宽度 ;并根据γ- Mn O2 膜电极的 EMRS随直流偏置电位的变化 ,确定出其在 1mol·L- 1 NH4Cl溶液中的平带电位值 。
2.
The threshold voltage and the voltage correlated with the energy gap of LEDs were measured.
通过测量各发光二极管的正向伏安特性以及光谱特性,确定发光二极管的阈值电压和其禁带宽度所对应的电压。
3.
The internal microstrain, lattice distortion, absorption coefficient and energy gap decrease with the grain size increasing.
FeS2晶粒尺寸的变化造成了晶体面缺陷密度的变化,可引起微观内应力水平、缺陷能级分布和晶界势垒高度的变化,进而使得薄膜的微应变、点阵畸变度、光吸收系数及禁带宽度等物理特性随晶粒尺寸的增加而降低。
6) band gap energy
禁带宽度
1.
Corresponding to the changes of structure, the band gap energy of the films will decrease.
96 ,禁带宽度Eg 则由大变小 ,然后再增大的变化 (3。
2.
It was found that the band gap energy changes approximately linearly as a function of composition between x =0.
采用红外椭圆偏振光谱研究了与 Ga Sb衬底近晶格匹配的不同组分 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱 。
补充资料：禁带宽度
禁带宽度
width of forbidden band
”日dol伙日ondu禁带宽度(width offorbidden band)导带的能量下边界和价带的能量上边界之间的间隙。根据能带理论，固体中运动电子的能量谱值系由一系列准连续的具有一定宽度的能带(称为允带)所组成。两个相邻的允带之间的区域为不能被电子占据的能量禁区，称为禁带。禁带所覆盖的能量区间即为禁带宽度，用E。表示。在室温下，半导体材料锗、硅、砷化稼的禁带宽度依次为0.67eV、2.12eV和1·428eV。 禁带宽度Eg随温度T变化关系为 风一Eg(o)+胭(l) 召一dE:/dT(2)式中E:(0)为外推至T一oK时的禁带宽度。锗、硅、砷化稼的E:(o)依次为0.785eV、1·21eV、1·53eV。将上二式代人本征载流子浓度公式中(见载流子)，则本征载流子浓度ni为”‘一‘’82x‘。‘5(鲁)寻 又T3/2二p{一矗!二p[一豁{(3)由式(3)可知，半导体材料的禁带宽度对本征载流子浓度有影响。对一定的半导体材料，其本征载流子浓度随温度的升高而迅速增加。同时，由于凡随温度升高而增大，也促使ni增大。对不同的半导体材料，在一定温度下，禁带宽度Eg愈大，本征载流子浓度执就愈小。 二极管PN结的反向饱和电流密度与衅成比例。因此，E:愈大，n;随温度的变化也愈大，反向饱和电流变化就愈快，这一性质将影响半导体器件的温度特性。
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参考词条