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1)  ultrathin oxide layer
超薄氧化层
2)  ultra-thin gate oxide
超薄栅氧化层
1.
The breakdown characteristics of ultra-thin gate oxide n-MOSFET under voltage stress;
电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性
2.
Conduction mechanism of ultra-thin gate oxide n-MOSFET after soft breakdown;
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制
3.
The dynamic reliability of ultra-thin gate oxide and its breakdown characteristics;
动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价
3)  ultra thin gate oxide
超薄栅氧化层
1.
The breakdown protection characteristics of fluorination and nitrification implanted ultra thin gate oxide are investigated.
对注 F、注 N以及先注 N后注 F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究 ,实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 F或 N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力 。
2.
The breakdown characteristics of N 2O nitride ultra thin gate oxide are investigated.
研究了含 N超薄栅氧化层的击穿特性 。
4)  altra-thin tunnel oxide
超薄隧道氧化层
5)  Thin Film Oxygen Uptake Test
薄层氧化
1.
The oxidative evaluation methods such as Rotary Bomb Oxidation Test(RBOT),Thin Film Oxygen Uptake Test(TFOUT) and Modified Thin Film Oxygen Uptake Test(MTFOUT) are employed to study their antioxidative abilities.
利用薄层氧化(简称TFOUT)和修改了的薄层氧化法(简称MTFOUT)对其在10W/40SH/CD加氢基础油中的抗氧化性能做了研究,均表现出了优良的抗氧活性,同时对其抗氧机理进行了探讨。
6)  Ultrathin Gate Oxide
超薄氧化门
补充资料:薄层棒色谱法
分子式:
CAS号:

性质:又称棒色谱(rod chromatography)。在石英棒或石英管外壁上涂布一薄层物质作为固定相的薄层色谱法。

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参考词条