补充资料：碲化锗晶体

分子式：
CAS号：

性质：周期表第IV，VI族元素化合物半导体。离子性晶体。三角晶系面心结构，密度6.19g/cm3。熔点724℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.23eV，属窄能隙半导体，空穴迁移率7×10-3m2/(V·s)。采用熔化再结晶法制备。用作红外光发射和探测材料。

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