1) AES's backscattering factor
俄歇谱背散射因子
2) backscattering factor
背散射因子
1.
Monte Carlo calculation of backscattering factor for quantitative AES analysis;
Monte Carlo方法计算定量俄歇电子能谱分析中的背散射因子(英文)
4) AES
俄歇电子谱
1.
XPS and AES Investigation of GaN Films Grown by MBE;
MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析(英文)
2.
It is well known that low energy ion sputtering plaps an important role in quantification of surface composition by AES and XPS,such as to clean surface contamination and obtain depth profiles by low energy ion beam sputtering,ect.
由于离子溅射改变了固体表面化学成分，引起表面成分的再分布，使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段，对溅射后固体表面成分的定量分析结果与实际结果有较大的差别。
5) Auger emission spectroscopy
俄歇发射光谱学
6) Auger electron spectroscopy (AES)
俄歇电子能谱
1.
In this study, the Auger Electron Spectroscopy (AES) was used to study the adsorption process and initial stage of oxidation reactions on clean surface of pure iron,uranium and surface of their C~+ ion-implanted samples.
本文利用俄歇电子能谱(AES)研究了清洁纯铁、离子注入碳纯铁、清洁铀以及离子注入碳铀表面与氧气吸附及初始氧化的过程。
补充资料：俄歇电子能谱
测定俄歇电子的能量从而获得固体表面组成等信息的技术。处于激发态的原子可能发生两类过程（图1）。一类是内壳层空穴被外壳层电子所填充,由此释放出能量而产生X射线荧光。另一类是电子由外壳层落到内壳层，用所释放出来的能量打出一个其电离势更低的轨道电子（通常为价电子）。后一个过程称为俄歇过程,以发现此过程的法国科学家P.-V.俄歇命名，被打出来的电子称为俄歇电子。用光或电子轰击固体表面，都能产生俄歇效应。
俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。
俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条