1) random background charge
随机背景极化电荷
2) random background charges
随机背景电荷
1.
At the same time,the influences of temperature and random background charges on the memory were simulated.
介绍了目前国际上比较流行的单电子器件仿真软件SIMON的工作原理,并且以单电子环形存储器单元电路为例,利用SIMON软件对其功能和性能进行了仿真分析,同时,还仿真了温度和随机背景电荷对单电子环形存储器单元电路的影响。
3) background charge
背景电荷
1.
According to the semi classical model, by means of electrical characteristics analysis of R SET, it was proposed that the electrical performance of R SET was not affected by the background charge.
基于单电子系统半经典模型 ,分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性 ,得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点 。
2.
The background charge independent single electron transistor (SET)/field effect transistor (FET) hybrid memory cell works on the basis of the periodic dependence of the drain current of SET on its gate voltage.
基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性。
4) background polarization
背景极化
5) random distributed background
随机分布背景
6) random noise background
随机噪声背景
补充资料：随机数和伪随机数
随机数和伪随机数
random and pseudo-randan numbers
随机数和伪随机数【喇间佣1 al川牌”山一喇闭..m.山娜;cJI了，a如曰e”nce，口oc月卿成.以叹“c月a】 数亡。(特别，二进制数:。)，其顺序出现，满足某种统计正则性(见概率论(probability Uleory)).人们是这样区别随机数(mndomn切mbe比)和伪随机数(PSeudo一mn由mn切mbe岛)的，前者由随机的装置来生成，而后者是用算术算法构造的.总是假设(出于较好或较差的理由)所得(或所构造)的序列具有频率性质，这些性质对于具有分布函数F(z)的某随机变量心独立实现的一个序列来说是“典型的”;因此人们称作根据规律F(习分布的(独立的)随机数.最经常使用的例子为:在区间【O，l]上均匀分布的随机数亡。，尸(亡。
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参考词条