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1)  polarization charge
极化电荷
1.
In this paper, the electric displancement D depending on the distribution of polarization charge is proved and the condition for electric displancement D merely related to the distribution of free charge is discussed.
证明了电位移矢量Ｄ与极化电荷有关，同时讨论了电位移仅与自由电荷有关的条件。
2.
The quantitative relation between the electric displacement vector D and the polarization charge was studied by means of the method of the vector analysis.
本文利用矢量分析的方法，研究了电位移矢量与极化电荷之间的定量关系，给出了电位移矢量与极化电荷无关的条件。
3.
The energy band tailoring in AlGaN/GaN heterostructure by using polarization charge is investigated according to the self consistent solution of Schr dinger equation and Poisson equation.
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。
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2)  polarized charge
极化电荷
1.
In this paper we analyze the characteristics of a flow transducer based on polarized charge.
对基于极化电荷的流量传感器特性进行了比较系统深入的分析 ,详细讨论了荷电颗粒对测量管电势的影响 ,给出了等效测量电路 ,针对测量回路时间常数的不同情况 ,得到了质量流量与输出电势之间不同的关系式 ,并根据气固两相流的特性得出了令人满意的测量模型 。
2.
The paper introduces a method of mass flowrate measurement based on polarized charge, which is a kind of new electrostatic method.
介绍了一种新型静电质量流量测量方法 ,该方法使粉体流经预先设置的电场 ,在粉体表面产生与粉体质量流量间有一确定关系的极化电荷 。
3.
This paper analogizes the dielectric in the electric field to the electrostaic induction of conductor and discusses the distribution of the polarized charge and its electric field in the dielectric.
本文把电介质在电场中的极化，类比于导体在电场中的感应，讨论了介质中极化电荷及其电场的分布，可供教学时参考。
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3)  polarization charges
极化电荷
1.
Lossy ground is modeled by images, and insulation by equivalent polarization charges.
耗损土壤的影响用镜像模型表示;导线绝缘层等效为极化电荷。
2.
We have discussed the condition in which the electric displacement D may be simply determined by free charges in the medium and the contribution from polarization charges is not necessarily considered.
当我们研究的问题满足一定条件时，电位移矢量Ｄ仅与自由电荷有关，而与极化电荷无
3.
The distribution of potential inner and exterior of dielectric spheroid,as well as polarization charges appearing the surface of sphere are given.
采用分离变量法求解了电偶极子位于均匀介质球中时复连通域的拉普拉斯方程和泊松方程,求出了球内外两种不同介质的电势分布和球面上的极化电荷分布;通过求解二阶非线性微分方程得到了球外的电场线函数;利用计算软件Math-ematica 5。
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4)  polarizing charge
极化电荷
1.
The article points out that in general conditions, D is also in connection with polarizing charges and D is also in connection with magnetizing current, and discusses the factors that D is only connection with free charges and H is only connection with conducting current.
本文指出在一般情况， D与极化电荷也有关； H与磁化电流也有关。
2.
By introducing the concept of equivalent electric charge,the image charge is well determined when the polarizing charge exists,solutions are provided for problems on electric image and electric potential in intersection of two different media,and the easy access of the solutions is exposited.
通过引入等效电荷的概念,较好地处理了有极化电荷存在时象电荷的确定,给出了两种介质交界情况下的电象及电势问题的求解,从而说明用其解决问题的方便之处。
3.
This paper introduces the item "the equivalence electric charge", does better with the polarizing charge, dicusses the definition of the electric charge when there is medium,given the resolution to the electric image under the conductor,the medium intersection and two medium intersections.
该文引入等效电荷概念,较好地处理了极化电荷,讨论了有介质时象电荷的确定,给出了导体与介质交界以及两种介质交界情况下的电么问题求解。
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5)  palarized charge
极化电荷
1.
The calculation shows that the palarized charge and magnetized current on coaxial cylindrical interface of three layers of media can be replaced with discrete images,then the calculation of electric field and magnetic field will be get very simply and visually.
计算表明，三层介质无限长圆柱界面上的极化电荷和磁化电流可用多个分立镜像代替，从而使电场和磁场的计算更简单和直
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6)  polarize electricity field
极化电荷场
补充资料：半导体的导电与电荷输运


半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有 肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有 ，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为 卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕 丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。 对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴 磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。 强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条