1) Infrared measure window
红外测量窗口
2) infrared window
红外窗口
1.
CVD diamond is a preferred material for high speed long wave infrared window,because of its ex- traordinary mechanical,optical and thermal properties.
化学气相沉积(CVD)金刚石具有优异的机械、光学和热学性能,成为高速长波红外窗口的首选材料,但是当高速飞行时,由于空气动力加热会产生很高的温度而使其迅速遭受氧化,甚至完全失效。
2.
A kind of main infrared window compound materials is obtained by inorganic-organic composite method.
利用无机、有机复合的方法获得了性能优良的红外窗口复合材料。
3.
Based on 2D plate to simulate infrared window,a numerical study is presented to determine the effects and rules of film cooling on infrared window.
以二维平板模拟红外窗口,应用数值方法研究了红外窗口气膜冷却的效果和规律。
3) infrared windows
红外窗口
1.
Only are the proper material and structure chosen,the good infrared windows can be made,at the same time,the demand of military and detector must be considered.
红外窗口是军用平台测试系统的关键部件，必须根据作战武器要求和探测性能要求，选择合适的材料和结构，应用系统功能方法设计参数，制出性能最佳的红外窗口。
4) IR window
红外窗口
1.
Some performance requirements and considerations of window material coating and constructure design for military polo-electronic equipment IR window are described, and its future development direction is proposed.
论述军用光电设备红外窗口的性能要求，叙述红外窗口材料、镀膜及结构设计的考虑，提出今后的发展方向。
5) Near-infrared window
近红外窗口
6) testing windows
测量窗口
1.
This paper analyses influence to testing results by the difference testing windows and the calibration condition in testing shielding efficiency of the plan shielding material , at the same time, how to avoid the influence is pointed out .
文章分析了在平面屏蔽材料的屏蔽效能测试中,测量窗口和校准条件的不同对测量结果的影响,并通过对实际测试数据的分析,提出了避免这种影响的措施。
补充资料：半导体材料红外测量
半导体材料红外测量
infrared measurement for semiconductor
bondaotl ealllao hongwol eellong半导体材料红外测量(infrared measurementfor semieonduetor)利用红外光谱的方法测量半导体性能，是半导体材料测量的主要内容之一。红外光谱可分为近红外(0.78一2拜m)、中红外(2一25拜m)和远红外(25一30即m)。当红外光照射某种物质时，其电磁波与该物质内部原子(或离子、分子等)相互作用，而产生选择性吸收。每种物质都有其特征的吸收光谱，这是进行成分和结构分析以及测定各种物理特性的基础。 半导体材料锗和硅中的l族和v族元素，l一v族化合物中I族和u族元素，卜”族化合物中班族、讥族元素和I族、v族元素，都能在禁带中接近价带或导带边缘产生受主能级或施主能级。每个杂质能级都有基态和一系列激发态。处于基态的杂质原子受到红外光照射后，吸收光子能量，跃迁到不同的激发态，在红外吸收谱中出现相应的吸收峰。通过红外吸收光谱的测量，已给出锗、硅和某些化合物半导体材料中各种浅能级杂质的能级谱图，并用有效质量近似法对它们做了很好的描述。特征吸收峰的强度与相应的杂质浓度有关，因此可由红外吸收测量确定杂质处于基态或激发态，从而识别杂质的种类及测定其含量。如硅中P的ZP士吸收峰特别强，常被用来测定其含量。由于浅能级杂质基态和不同激发态之间的跃迁对应的光子能量很小，相应的波长处于远红外区，并要求在低温下进行测量。在300一15。。cm一1的光谱范围内，研究了硅在退火过程中热施主的产生和消失过程，发现p型硅在45。℃下退火，可观测到9个热施主中心，得到各个中心的基态及其激发态。 半导体材料中的杂质或缺陷及其络合物的存在，破坏了晶格平移的对称性，产生了非零的偶极矩，可引起与杂质性质相关联的尖锐吸收。如果代位的或间隙的杂质原子量小于其主晶格原子量时，就可引起定域模振动吸收，其频率高于主晶格声子频率。已观测到各种半导体中一些轻元素杂质为氢、铿、硼、碳、氮、氧、铝、硅、磷等的定域模振动吸收峰。通过对这些特征振动模式的研究，可以得到晶体中有关杂质的种类及其同位素丰度、杂质位置的对称结构、杂质附近的化学键结构以及它们对晶体电子结构的影响等信息。这些振动吸收峰的强度也与相应杂质的浓度有关，如硅中的氧和碳的定域模振动吸收，己被用来作为测定其含量的标准测试方法。GaAS中的碳、硼、硅等杂质也已有相应的经验换算公式。
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参考词条