1) magnesium silicide matrix
硅化镁基体
2) magnesium silicide crystal
硅化镁晶体
3) magnesium silicon nitride
氮化硅镁
1.
The new route to preparation of magnesium silicon nitride (MgSiN2) powder by combustion synthesis in nitrogen gas with several different starting mixtures (Mg+Si, Mg2Si, Mg+Si3N4) was investigated.
研究了不同起始反应物体系(Mg+Si,Mg2Si和Mg+Si3N4)对氮气中燃烧合成氮化硅镁(MgSiN2)粉体的影响,结果显示,不同反应物体系的燃烧产物不同。
4) magnesium fluorosilicate
硅氟化镁
5) magnesium silicide
硅化镁
1.
For the production of silane from magnesium silicide, key techniques such as the recycling of ammonia and the control of impurities (e.
对硅化镁法生产硅烷的工艺过程中比较突出的几个问题如氨的回收,杂质水、氢和碳氢化合物等谈了自己的看法和处理意见。
6) magnesium silicide method
硅化镁法
1.
The solid by-product is obtained by imitating the magnesium silicide method which is used to produce silane in industry.
以硅化镁、氯化铵与液氨为原料,模仿硅化镁法制备硅烷气体的工艺,获得反应生成的固体副产物。
补充资料：硅化镁晶体
分子式：Mg2Si
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ、Ⅳ族元素化合物半导体，属立方晶系萤石型结合、共价键结合。禁带宽度0.77eV，电子和空穴有效质量分别为0.46m和0.87m(m为电子惯性质量)。电子和空穴迁移率分别为4×10-3和6×10-3m2/(V·s)。熔点1102℃。采用布里奇曼法制备。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ、Ⅳ族元素化合物半导体，属立方晶系萤石型结合、共价键结合。禁带宽度0.77eV，电子和空穴有效质量分别为0.46m和0.87m(m为电子惯性质量)。电子和空穴迁移率分别为4×10-3和6×10-3m2/(V·s)。熔点1102℃。采用布里奇曼法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条