2) Si(111) 7×7
Si(111)7×7
5) Si(111)substrates
Si(111)衬底
6) Silicon(111) surface
Si(111)面
1.
In this article,Molecular dynamics(MD) was used to study the growth process of diamond-like carbon(DLC) films synthesized via ion-beam-assisted deposition(IBAD) on Silicon(111) surface.
本文选C2分子和Ar离子作为沉积源和辅助沉积粒子,采用分子动力学(MD)方法在Si(111)面上模拟研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)膜的物理过程。
补充资料:(DD-8-111"
CAS:20941-65-5
分子式:C20H40N4S8Te
分子质量:720.68
中文名称:(DD-8-111"1"1'1'1"'1"')-四(二乙基二硫代氨基甲酸-S,S')碲
英文名称:diethyl-carbamodithioic acid tetrakis(anhydrosulfide) with thiotelluric acid
分子式:C20H40N4S8Te
分子质量:720.68
中文名称:(DD-8-111"1"1'1'1"'1"')-四(二乙基二硫代氨基甲酸-S,S')碲
英文名称:diethyl-carbamodithioic acid tetrakis(anhydrosulfide) with thiotelluric acid
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条