1) mid infrared quantum cascade laser
中红外量子级连激光器
2) middle infrared continuous wave laser
中红外连续激光
4) quantum cascade laser
量子级联激光器
1.
Energy band design for Si/SiGe quantum cascade laser;
Si/SiGe量子级联激光器的能带设计
2.
Simulation of waveguide of terahertz quantum cascade laser;
太赫兹量子级联激光器波导数值模拟
3.
Interface phonons in the active core of a quantum cascade laser;
量子级联激光器有源核中界面声子的特性研究
5) quantum cascade lasers
量子级联激光器
1.
Terahertz quantum cascade lasers;
太赫兹量子级联激光器研究进展
2.
Progress on the material structure design ofGaAs-based quantum cascade lasers;
GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展
3.
Research of the Structural Characteristics of Quantum Cascade Lasers Fundamental Materials;
量子级联激光器基础材料结构特性研究
6) QCL
量子级联激光器
1.
In order to optimize the Al composition of the barrier in GaN-based quantum cascade laser,a self-consistent calculation to the schrodinger and poisson equations of one periods in QCL has been done.
基于不同的研究者报道的AlGaN/GaN三阱式量子级联激光器的垒层有不同的Al组分,通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁矩阵元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果。
补充资料：红外半导体激光材料
红外半导体激光材料
infrared semiconductor laser materials
红外半导体激光材料infrared semieonduetorlaser materials激光波长大于0 .55月m的半导体激光材料。由于红外波长范围广阔，相应半导体激光材料种类很多(见表)。用于波长大于2月m的红外半导体激光材料，通常按性质分为两类，一类是Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体，其覆盖波段为2一4月m。另一类是W一VI族铅盐半导体，覆盖波段为3一30召们no红外半导体激光材料波长(解m)0 .85一0.900 .93一1.0 1 .0一1.7 2 .0一4.0激活层GaASInGaAsIn卜xGaxAs卜，P，InGaAssbInAsPSb 限制层AIGaAsAIGaAsInPAIGaAssbAIGaPSb 衬底GaASGaAsInPGasbInAs分类m一V族化合物半导体3一30}PbEuseTe 1 PbseTe 1 PbTe份一VI族化合物半导体 Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体制造用于红外光纤通信，红外传感、激光雷达及分子光谱学等方面的中红外半导体激光器。Gal一xlnxAsysbl一，四元合金系统，当y/x约0.9时，这种化合物可同Gasb晶格匹配。从原理上说，x=0一1时，波长凡可在1.7一4.3召m范围变化。但是，工艺上实现覆盖这一波段范围比较困难。例如采用液相外延(LPE)法生长材料，由于中心区(x二0.18一0.84)存在混合隙，目前最长波长做到2.39#m。由于液相外延是一种热力学平衡过程，在这一组分范围内，液相和固相间存在大的分凝，衬底相对熔体处在不稳定状态，因此不能获得稳定的固相。红外光纤最低损耗波长为2.55尽m，获得这一波段激光器所需的材料组分为x约0 .27，正好在混合隙内。因而需采用分子束外延(MBE)和金属有机气相外延(MOVPE)生长方法制备。Ga，_xlnxAsysb，_，为有源区激光材料，其限制层材料选择Gal一二Al二As，Sbl一y’通过选择合适的组分，使其禁带宽度比GalnAssb宽，而折射率比其低。因此在Gasb衬底上可生长出GaAIAssb/GalnAssb/GaAIAssb/Gasb双异质结构。 2一4召m波段另一种可供选择的激光材料是生长在InAs衬底上的InAsl一二一yPxsb，异质结材料。但利用这种材料制成的激光器热特性较差，难以实现室温工作，使用很少。此外还有Insb、InGaAs等材料，虽已作出激光器，但由于器件性能不好，也很少使用。 W一VI族铅盐半导体带宽温度系数非常大，特别适合制造半导体可调谐激光器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条