1) mid-infrared laser
中红外激光
1.
Mid-infrared laser technology and its progress;
中红外激光技术及其进展
2.
For the propose of finding high energy mid-infrared laser output,a compound cavity kalium titanyl arsenate(KTA) optical parametric oscillator(OPO) pumped by an electro-optic Q-switched flash-lamp-pumped 1064nm Nd∶YAG laser was experimentally studied.
为了得到高能量中红外激光输出,对电光调Q灯抽运1064nm Nd∶YAG抽运复合腔砷酸钛氧钾(KTA)光学参变振荡器(OPO)作了实验研究,在工作频率1Hz时得到OPO输出单脉冲能量36mJ,信号光脉宽10ns,闲频光波长3407nm,能量11mJ。
3.
Optical parametric oscillator (OPO) is one of the most important ways to get widelycontinuous-tunable mid-infrared lasers.
光参量振荡器是产生宽带连续可调谐的中红外激光的一种非常重要的手段，它能够将一个泵浦激光转换为相干输出的信号光和闲频光，且可以在较宽的频率范围内实现连续可调谐输出。
3) ultra-short mid-infrared laser
超短中红外激光
4) mid-infrared laser crystal
中红外激光晶体
1.
The raw material treatment and crystal growth of mid-infrared laser crystal Er: KPb_2Cl_5 were reported in this paper.
本文是对中红外激光晶体Er:KPb2C l5的原材料处理合成和晶体生长进行的研究报道。
5) middle infrared continuous wave laser
中红外连续激光
6) mid-infrared laser jamming
中红外激光干扰
补充资料：红外半导体激光材料
红外半导体激光材料
infrared semiconductor laser materials
红外半导体激光材料infrared semieonduetorlaser materials激光波长大于0 .55月m的半导体激光材料。由于红外波长范围广阔，相应半导体激光材料种类很多(见表)。用于波长大于2月m的红外半导体激光材料，通常按性质分为两类，一类是Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体，其覆盖波段为2一4月m。另一类是W一VI族铅盐半导体，覆盖波段为3一30召们no红外半导体激光材料波长(解m)0 .85一0.900 .93一1.0 1 .0一1.7 2 .0一4.0激活层GaASInGaAsIn卜xGaxAs卜，P，InGaAssbInAsPSb 限制层AIGaAsAIGaAsInPAIGaAssbAIGaPSb 衬底GaASGaAsInPGasbInAs分类m一V族化合物半导体3一30}PbEuseTe 1 PbseTe 1 PbTe份一VI族化合物半导体 Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体制造用于红外光纤通信，红外传感、激光雷达及分子光谱学等方面的中红外半导体激光器。Gal一xlnxAsysbl一，四元合金系统，当y/x约0.9时，这种化合物可同Gasb晶格匹配。从原理上说，x=0一1时，波长凡可在1.7一4.3召m范围变化。但是，工艺上实现覆盖这一波段范围比较困难。例如采用液相外延(LPE)法生长材料，由于中心区(x二0.18一0.84)存在混合隙，目前最长波长做到2.39#m。由于液相外延是一种热力学平衡过程，在这一组分范围内，液相和固相间存在大的分凝，衬底相对熔体处在不稳定状态，因此不能获得稳定的固相。红外光纤最低损耗波长为2.55尽m，获得这一波段激光器所需的材料组分为x约0 .27，正好在混合隙内。因而需采用分子束外延(MBE)和金属有机气相外延(MOVPE)生长方法制备。Ga，_xlnxAsysb，_，为有源区激光材料，其限制层材料选择Gal一二Al二As，Sbl一y’通过选择合适的组分，使其禁带宽度比GalnAssb宽，而折射率比其低。因此在Gasb衬底上可生长出GaAIAssb/GalnAssb/GaAIAssb/Gasb双异质结构。 2一4召m波段另一种可供选择的激光材料是生长在InAs衬底上的InAsl一二一yPxsb，异质结材料。但利用这种材料制成的激光器热特性较差，难以实现室温工作，使用很少。此外还有Insb、InGaAs等材料，虽已作出激光器，但由于器件性能不好，也很少使用。 W一VI族铅盐半导体带宽温度系数非常大，特别适合制造半导体可调谐激光器。
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参考词条