1) Si bipolar junction color sensor
硅双结型色敏器件
1.
A design for wavelength measurement system, including new hardware andsoftware, based on Si bipolar junction color sensor is presented.
介绍了基于硅双结型色敏器件的单色光波长测量系统的硬件、软件设计。
2) Si color sensor with double PN junction
双结型硅色敏器件
3) silicon color sensor
硅双结色敏器件
1.
A system of measuring light power and wavelength is designed and fabricated,using silicon color sensor with double PN junction as detector,microcontroller as controller and PC as processor.
设计并实现了一种用硅双结色敏器件作为探测器,单片机作为控制器,PC作为处理器和显示器的光功率、波长同步测量系统。
5) dual-junction silicon color sensor
硅双结型色敏光电探测器
1.
The wavelength measurement system based on dual-junction silicon color sensor is characterized by simple structure, low cost, high precision, and portability, so it has been widely used in optical communication and other industrial fields.
基于硅双结型色敏光电探测器的波长测量系统具有结构简单、成本低、测量精度较高、易于实现便携式等优点，故而广泛应用于光纤通信及其他工业领域。
6) color sensors
色敏器件
1.
Operating principle of color sensors are introduced.
介绍了硅双结型色敏器件的工作原理 ,给出了一种基于89C5 2单片机为运算、控制核心的颜色识别系统的硬件、软件设计。
2.
The progress of structure,fabricating technology,operating principle and signal handling for color sensors and developing trend of color detectors based on integrated technique were reviewed.
介绍了色敏器件的结构、制作工艺、工作原理、信号处理电路的发展以及利用信息处理技术和集成电路技术实现智能化颜色探测的应用前景。
3.
Research and development on color sensors is reviewed followed by description of signal processing circuit and applications of color detection.
介绍了基于光吸收系数强烈依赖于波长的硅色敏器件的结构、颜色探测的信号处理电路以及颜色探测应用的研究与进展。
补充资料：异质结双极型晶体管
发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为"宽发射区"晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgB大于基区材料的禁带宽度EgE（图1）。图中 N代表能带宽的区域。从发射区向基区注入的电子流 Ip和反向注入的空穴流Ip所克服的位垒高度是不同的,二者之差为墹Eg＝EgE-EgB,因而空穴的注入受到极大抑制。发射极效率主要由禁带宽度差墹Eg决定，几乎不受掺杂比的限制。这就大大地增加了晶体管设计的灵活性。
图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。
除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。
除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条