1) mesa isolation
台面隔离
1.
Improvements of mesa isolation techniques for AlGaN/GaN HEMTs on 4H-SiC substrate;
4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进
2) isolating valve installation
隔离阀台
3) pointSeparating zone
隔离界面
4) segregation on deck
舱面隔离
6) planar air isolation
平面型空气隔离
补充资料：台面
分子式：
CAS号：
性质：又称台面，描述晶体表面台阶结构中的一个平面。通常晶体的表面台阶结构由平台-台阶-扭折所构成，并以下式表示：R（S）-[m·(hkl)×n(h′k′l′)]+[uvw]。式中R为台阶表面的组成元素，（S）为台阶结构，（hkl）为平台的晶面指标，m为平台宽度（m个原子列），（h′k′l′）是台阶侧面的晶面指标，n为台阶的原子层高度，[uvw]为平台与台阶相交的原子列方向。
CAS号：
性质：又称台面，描述晶体表面台阶结构中的一个平面。通常晶体的表面台阶结构由平台-台阶-扭折所构成，并以下式表示：R（S）-[m·(hkl)×n(h′k′l′)]+[uvw]。式中R为台阶表面的组成元素，（S）为台阶结构，（hkl）为平台的晶面指标，m为平台宽度（m个原子列），（h′k′l′）是台阶侧面的晶面指标，n为台阶的原子层高度，[uvw]为平台与台阶相交的原子列方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条