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1)  Reverse recovery charge
反向恢复电荷
1.
New SiC Schottky diodes outperform their counterparts, exhibiting up to 600V blocking voltage with the absence of reverse recovery charge and current.
崭新的碳化硅(SiC)肖特基二极管优于它的竞争者,具有600V的阻断电压;而且没有反向恢复电荷和反向恢复电流。
2.
Our work mainly focus on the improvements of reverse recovery charge and gate charge which impact much on high speed switching and high efficiency performance of a VDMOSFET.
本项目主要针对影响器件开关速率和高效性能的反向恢复电荷、栅电荷进行优化和改进。
2)  reverse recovery charge dispersity
反向恢复电荷分散性
3)  reverse recovery current
反向恢复电流
1.
This paper describes a method for calculating reverse recovery current parame- ters of the thyristor turnoff model.
本文论述了计算晶闸管关断模型反向恢复电流参数的一种方法。
4)  reverse recovery over voltage
反向恢复过电压
5)  recovery charge
恢复电荷
6)  charge recovery
电荷恢复
补充资料:Ik(反向运动)

ik (反向运动)

inverse kinematics(ik)反向运动是使用计算父物体的位移和运动方向,从而将所得信息继承给其子物体的一种物理运动方式。

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