1) selective wet etching
选择性湿法刻蚀
1.
InP/air-gap distributed Bragg reflector (DBR) with high reflectivity is fabricated by using selective wet etching.
采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 。
2) selective dry etching
选择性干法刻蚀
3) selective wet etching
选择性湿法腐蚀
1.
Because of different etching velocities of inductively coupled plasma(ICP) etching induced by the chamber’s poor gas distribution and the high remnant stress with dry etching technology,selective wet etching technology of GaAs/AlAs was carried out.
针对感应耦合等离子(ICP)刻蚀气室气体分布不均匀性所导致的被刻蚀台面中间厚、边缘薄及干法刻蚀后残余应力大等缺点,进行了GaAs/AlAs的选择性湿法腐蚀工艺研究。
2.
High-reflectivity InP/air gap distributed Bragg reflectors (DBRs) have been fabricated by the selective wet etching of InGaAs sacrificial layers with FeCl3:H2O solution.
通过V(FeCl3):V(H2O)溶液对InGaAs牺牲层的选择性湿法腐蚀,制备出具有InP/空气隙的高反射率分布布拉格反射镜(DBR),并将该选择性湿法腐蚀技术成功地应用到长波长InP基谐振腔增强型光探测器的制备中去,从而彻底解决了InP/InGaAsP高反射率分布布拉格反射镜难以外延生长的问题。
4) selective etch
选择性刻蚀
1.
Because of its strong selective etching ability, oxygen ions directly decomposed from CH 3OH plays an important role in the sy.
经分析认为,等离子体中因甲醇裂解产生的氧离子及含氧基团对无定形碳具有很强的选择性刻蚀能力,为低温合成纳米碳管时提高其纯度创造了条件。
5) Etching selectivity
刻蚀选择性
6) etch selectivity raito
蚀刻选择比，蚀刻选择性
补充资料：法性属法为法性土
【法性属法为法性土】
谓真如法性之理，譬如虚空，遍一切处，乃是法身所证之体，即为所依之土，故名法性属法，为法性土。
谓真如法性之理，譬如虚空，遍一切处，乃是法身所证之体，即为所依之土，故名法性属法，为法性土。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条