1) Kirk effect
基区扩展效应
1.
In order to imporve the current gain of very high-speed bipolar transistor and decrease the influence of Kirk effect at high emitter injection, we incorporate selectively implanted collector (SIC) in a double polysilicon self-aligned transistor.
为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。
2) base stretching
基区扩展
3) Spreading effect of chromatographic peak
色谱峰扩展效应
4) anomaly spreading effect
异常扩展效应
5) thermal effect of crack propagation
裂纹扩展热效应
6) nephelanxetic effect
电子云扩展效应
补充资料：电子云扩展效应
分子式：
CAS号：
性质：在配位化合物中，中心离子的d电子间的排斥作用比相应自由金属离子中d电子间的排斥作用小，即在配位化合物中d电子云在一定程度上向配体迁移，d电子产生离域化。这种现象称电子云扩展效应。产生这种效应是配体与中心离子形成配键时，配体的孤对电子钻入中心离子的d轨道中扩大了d电子与金属离子核心之间的距离，也增加了d电子之间的距离。如自由离子Cr3+的电子排斥参数B为1030 1/cm。在Cr(NH3)63+中电子排斥参数B只有741.6 1/cm。这一效应可用来解释配位化合物光谱的精细结构。
CAS号：
性质：在配位化合物中，中心离子的d电子间的排斥作用比相应自由金属离子中d电子间的排斥作用小，即在配位化合物中d电子云在一定程度上向配体迁移，d电子产生离域化。这种现象称电子云扩展效应。产生这种效应是配体与中心离子形成配键时，配体的孤对电子钻入中心离子的d轨道中扩大了d电子与金属离子核心之间的距离，也增加了d电子之间的距离。如自由离子Cr3+的电子排斥参数B为1030 1/cm。在Cr(NH3)63+中电子排斥参数B只有741.6 1/cm。这一效应可用来解释配位化合物光谱的精细结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条