1) highly resistive silicon mask
高阻硅掩膜
1.
The results of te st on the PS array show that the highly resistive silicon mask keeps its integrity very well during th e anodic oxidation process and can produce PS array with good integrity and distribution.
介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程。
3) gaussian mask
高斯掩膜
4) high-resistivity silicon
高阻硅
1.
Microwave transmission line and phase shifter on high-resistivity silicon substrates;
基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器
2.
Three kinds of coplanar waveguides (CPWs) are designed and fabricated on different silicon substrates——common low-resistivity silicon substrate (LRS),LRS with a 3μm-thick silicon oxide interlayer, and high-resistivity silicon (HRS) substrate.
分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导。
3.
People developed high-resistivity silicon substrate to mitigate the loss in silicon.
同时，通过对测量结果的分析，为使用高阻硅作为衬底材料的下一步设计积累了宝贵的经验，为今后优化设计指明了方向。
5) high impedance coatings
高阻抗膜
1.
The necessary conditions of microarc oxidation is the formation of high impedance coatings on surface of the samples deposited by electrochemical reaction of metal cation generated by anode discharge and anion in the electrolyte.
结果表明:微弧氧化现象只发生于NaF电解液中,起弧前样品表面的沉积膜为MgF2,起弧后膜层由MgF2和MgO两相组成;NaCl和NaI电解液中的两组样品既无微弧氧化现象发生,又未发现任何沉积膜层;微弧氧化初期阳极放电产生的金属阳离子与溶液中的阴离子形成沉积于样品表面的高阻抗膜层是微弧氧化过程进行的必要条件。
6) HR-Si substrate
高阻硅衬底
补充资料：九日阻雨简高侍御（时与高公近邻）
【诗文】：
江上重云起，何曾裛□尘。不能成落帽，翻欲更摧巾。
素发闲依枕，黄花暗待人。且应携下价，芒屦就诸邻。
【注释】：
【出处】：
全唐诗：卷817-72
江上重云起，何曾裛□尘。不能成落帽，翻欲更摧巾。
素发闲依枕，黄花暗待人。且应携下价，芒屦就诸邻。
【注释】：
【出处】：
全唐诗：卷817-72
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