1) PECVD
等离子增强化学气相淀积
1.
A novel Si-based vertical cavity surface light emitting device is proposed, a-Si/a-SiO_2 is fabricated periodically by PECVD as the distributed Bragg reflectors (DBR), while a -Sic:H thin film is fabricated between the bottom DBR and the top DBR by PECVD as the light emitting layer.
它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。
2) PECVD
等离子体增强化学气相淀积
1.
Fluorine and carbon-doped silicon oxide films (SiCOF) were deposited from tetraox- ethylsilane (TEOS) and octafluorocyclobutane (C4F8) by plasma-enhanced chemical yapor deposi- tion (PECVD).
以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）。
2.
An investigation is made into preparations of thin gate-oxides for strained Si channel MOSFET s using PECVD at 300 °C and low-temperature (700-800 °C) thermal oxidation, respectively.
分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。
3) Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
等离子体增强化学气相淀积
4) plasma enhanced chemical vapour deposition
等离子体增强化学气相淀积
5) plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
等离子体增强化学气相淀积
1.
In the experiment herein,both SiO2 thin films and Si3N4 thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) on p-type silicon(111) substrate.
利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析。
6) thin film /PECVD
薄膜/等离子体增强化学气相淀积
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条