1) GCS approach
栅电容修正法
1.
It is then combined with the GCS approach to develop a compact model for these effects.
提出了一种新的建立集约模型的方法 ,即栅电容修正法 。
2) correcting capacitor
修正电容器
3) body drain-gate capacitor
漏栅电容
4) gate capacitance
栅电容
1.
Modeling of reduced gate capacitance of MOSFETs accounting for quantum effects;
考虑量子化效应的MOSFET栅电容减小模型
2.
The influence on threshold voltage and gate capacitance of MOSFETs due to quantum effects;
量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响
3.
The paper presents the equivalent model and components of gate resistance Rg and gate capacitance Cgs of DMOSFET, the C-V curve of metal insulator semiconductor structure and testing methods and equipments of gate resistance Rg.
讲述了双扩散型MOSFET栅电阻Rg和栅电容Cgs的等效模型和构成,介绍了金属绝缘半导体结构C-V曲线及栅电阻Rg的测试方法和设备。
5) gate-drain capacitance
栅漏电容
1.
A buried-oxide trench-gate bipolar-mode JFET(BTB-JFET)with an oxide layer buried under the gate region to reduce the gate-drain capacitance Cgd is proposed.
提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd。
2.
It is shown that neglecting the gate-drain capacitance of the MOSFET would lead to an overestimation of the optimum device width in the CMOS source degenerated LNA.
本文证明了在CMOS源端degeneration结构的低噪声放大器中，忽略场效应管的栅漏电容将造成对放大管的最优栅宽估计过大。
3.
Simulation results show that the gate-drain capacitance CGD of normally-on BTB-JFET has an improvement up to 25% than that of TB-JFET at zero source-drain bias.
仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。
6) gate source capacitance(Cgs)
栅源电容
补充资料：可计算电容法绝对测定电容和电阻单位
可计算电容法绝对测定电容和电阻单位
determination of SI units of capacitance and resistance based on calculable capacitor method
式中c0二(。。‘l动InZ为一常数，。r为介质的相对介电常数，。。为真空介电常数，C;、矶又称交叉电容。图1任意形状导电柱的截面当c:一。时，上式可简化为“=专(c，+。)二c0[l·罕(瓮)2一罕‘箫)4·幂‘瓮，‘一“式中△C二C:一Q。当长度为L时，总电容最为 C二cL 0 c0L根据光速。二2卯7兑.458 kn甘。计算，常数C0二1.姑3 549以3 PFlm。 可计算电容的结构是用4根几乎相碰又彼此绝缘的金属圆柱组成一组电容，其外围包有一个接地屏蔽E。计算电容的横截面(图2)，中间插人可动屏蔽电极，电极的位移用光学系统来测量。整个系统在真空中进行侧t。图2可计算电容的横截面 美国国家标准局研制的可计算电容的不确定度约为lxlo一;日本的约为2.5x10一7冲国的约为3.5x10一’，后经改进为l.oxlo一7(包含因子k=l)。 可计算电容绝对测量电阻的原理方框图见图3o所用计算电容为。.5pF(或l夕)，首先在电容电桥上用1:2、l:ro的比率作4次或5次测量，以确定0.01口标准电容器的电容值。在电容电阻桥上用1:1的比率侧出1了n的交流标准电阻的电阻值。然后利用交流电阻电桥给出l护O或l护n的交流标准电阻的电阻值，并与一个特制的1护n或1护n的交直流转换电阻进行比较，以确定其交直流转换误差。直流测量过程在直流电桥上进行，将已确定交直流转换误差的1护n或l口n的交流标准电阻与国家电阻基准(In)进行比较。 目前用可计算电容法绝对测量电阻的不确定度已keiisuan dianrongfa luedui Ceding dian『以习he dianzudan勺切81可计算电容法绝对测定电容和电阻单位(ds-te们rrunation of 51 units of ca侧加i切叮ce and邢isteLnce场既don以c吐ab】e caPacifor meth记)可计算电容是横截面的尺寸无需测量，而只裕测定轴向长度即能确定电容大小的特殊电容器，它能被准确地测量，因而通过它可以确定电容和电阻单位的sI量值，也称作可计算电容法绝对测量电容和电阻单位。 可计算电容是基于1956年澳大利亚的A.M.汤普森和D.G.兰帕德证明的静电学新定理。
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参考词条