1) multilayer gradual doping
多层渐变掺杂
2) gradual doping
渐变掺杂
1.
Two kinds of p +(Si 1-xGe x)-n --n + power diode with novel structure are proposed in this paper,one is with gradual doping n --region,and the other is with mesa structure.
由 Medici模拟所得的特性表明 ,在采用 n- 区渐变掺杂结构的 p+ ( Si Ge) -n- -n+ 功率二极管中 ,在正向特性基本不发生变化的前提下 ,与 n-区固定掺杂结构相比反向恢复过程加快 ,二极管下降时间 t A 缩短近 1 /2 ;在采用台面结构的 p+ ( Si Gi) -n- -n+功率二极管中 ,反向恢复特性也有明显改进 ,电流反向恢复时间缩短近 1 /3 ,而电压反向恢复时间缩短近 1 /2。
3) gradual-δ-doping
渐变δ掺杂
1.
Investigation on Mg-gradual-δ-doping of GaN;
p型GaN的渐变δ掺杂研究
4) doped-silica graded fiber
掺杂石英渐变型光纤[光]
6) double doping layer
双层掺杂
补充资料：多层沉积层
分子式：
CAS号：
性质：由两种或两种以上相继沉积的金属构成的沉积层。这些沉积层可以由不同特性的同一金属或不同金属构成。如为了提高镍镀层的防护性，有时采用双层镍或三层镍镀层。又如为防护-装饰目的采用的铜/镍/铬三层镀层。
CAS号：
性质：由两种或两种以上相继沉积的金属构成的沉积层。这些沉积层可以由不同特性的同一金属或不同金属构成。如为了提高镍镀层的防护性，有时采用双层镍或三层镍镀层。又如为防护-装饰目的采用的铜/镍/铬三层镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条