1) DRIE
深度反应离子刻蚀法
1.
The main four fabrication techniques, namely laser drilling, wet etching, DRIE (deep reactive ion etching) and PAECE (photo assisted electro-chemical etching), are described in detail from the several aspects of principle, process, advantages and disadvantages.
介绍了硅基片微型通孔的用途及在微机电系统发展中的重要性,从原理、过程、优缺点等方面详细叙述了激光打孔法、湿法刻蚀法、深度反应离子刻蚀法(DRIE)和光辅助电化学刻蚀法(PAECE)等四种硅基片微型通孔的加工方法,并对各种方法进行了比较,提出了各种方法的适用范围。
2) depth
深度
1.
The Depth of a Rectangular Through Slot on the Surface of a Cuboid steel Componet and the Magnetic Leakage Field Caused by the Slot;
方钢表面矩形贯通沟槽的深度与该沟槽引起的漏磁场
2.
On Accurately Acquiring Time-depth Relationship Using VSP Data;
准确求取VSP时间-深度关系的探讨
3) deep second degree
深Ⅱ度
4) depth of fracture
断裂深度
5) magnetic depth mark of cable
深度记号
6) advanced treatment
深度处理
1.
Application of reverse osmosis technology for the advanced treatment of petrochemical waste water;
反渗透深度处理炼化废水的应用研究
2.
Study on coagulation and ozonation in advanced treatment of diosgenin wastewater;
混凝沉淀-臭氧氧化深度处理皂素废水的实验研究
3.
Study on advanced treatment of coking wastewater by iron-carbon micro-electrolysis process;
铁炭微电解深度处理焦化废水的研究
参考词条
补充资料：离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀，也称为离子铣，它的主要原理是当定向高能离子向固体靶撞击时，能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。为了保证刻蚀的均匀性，离子束密度必须均匀并且应具有相同能量。此外，系统内的压力必须足够低，以防止离子束被散射。离子束刻蚀的机构决定了这种刻蚀有好的各向异性，又因为粒子尺寸是离子或原子量级的，因而这种刻蚀也具有较高的分辨率。这种技术的主要限制是刻蚀过程引起温升，这将使光刻胶很难除掉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。