1) hole injection barrier
空穴注入势垒
1.
Analogy of hole injection barrier indicates that the interface barrier of ITO is lowered after being treated with the high frequency discharge method using hole-only devices.
用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒。
2) injection barrier
注入势垒
1.
The insertion of this ultra-thin film results in a similar reduction of the hole injection barrier,which is related to the thickness of the film.
Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITO中In向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率。
3) hole-injection
空穴注入
1.
In this dissertation, after combining the high stability of C9 diaryl substituted fluorene derivatives with the high carrier mobility and hole-injection ability of pyrene, a series of novel blue-light-emitting material.
在本论文中，将9位双芳基芴结构的高稳定性能和稠环芳烃芘的高载流子迁移率、空穴注入能力结合起来，设计、合成了一系列新型蓝光材料，并研究了它们的光电性能。
5) ion implanted barrier
离子注入势垒
6) hole injection layer
空穴注入层
1.
Polarized blue polymer light-emitting diodes utilizing rubbed hole injection layers
基于空穴注入层摩擦定向的偏振蓝光聚合物电致发光器件
2.
A novel hole injection layer using niobium oxide by RF magnetron sputtering in organic light-emitting diode has been fabricated.
在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/Al的器件。
3.
We investigated the influence of the hole injection layer on the performance of the OLED.
研究了不同空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响,结果表明,由于m-MTDATA具有良好的成膜性,以及空穴注入能力,可以改善空穴向发光层的注入,有助于提高器件的效率。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条