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1)  Band-to-band absorption edge
带间吸收边
1.
By fitting of band-to-band absorption edges, the bandgap of Si conduction band to Ge valence band is acquired.
本文利用光电流谱的方法对锗硅低维量子结构的带间吸收边进行了研究。
2)  band-edge of optical absorption
吸收带边
1.
UV-VIS absorption spectrum and its derivative of absorption spectrum were used to detemine the shift of band-edge of optical absorption and band gap value along with the variation of temperature.
用紫外 可见光谱和导数吸收光谱研究了纳米TiO2 的吸收带边、能隙随着煅烧温度变化而变化的情况 ,结合XRD、TG DSC分析了不同温度下TiO2 的晶型及晶型转变情况。
3)  band edge absorption
带边吸收<光>
4)  absorption edge
吸收带边缘
5)  Intersubband absorption
子带间吸收
6)  x ray absorption edge
射线吸收带边缘
补充资料:吸收边
分子式:
CAS号:

性质:又称吸收边。入射X射线照射某元素时,随着波长的改变,质量衰减系数增加;当波长调至某一数值时,质量衰减系数发生突变。某元素的质量衰减系数发生突变时的波长值,称为某元素的吸收限。因入射X射线光子能量(与波长有关)恰好能激发某元素原子能级时,X射线能量被大量吸收,产生吸收突变,故称吸收限。

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