1) majority-carrier accumulation
多数载流子积累
1.
The majority-carrier accumulation layer is formed in the drift region because of the extended gate when the device is in the on state,and the concentration of drift region is higher than that in conventional SOI-LDMOS with the same breakdown voltage due to from the additional electric field modulat.
由于扩展栅电极的电场调制作用使FSOI-LDMOS在比一般SOI-LDMOS浓度高的漂移区表面,包括折叠硅槽侧面形成多数载流子积累,积累的多数载流子大大降低了漂移区的导通电阻。
2) carrier accumulation
载流子累积
4) shipping accumulation numbers
装载累积数
5) current carrier additive effect
载流子累加效应
1.
It has been found the current carrier additive effect in nonlinear mode of the PCSS.
对光电导开关的线性工作模式和非线性工作模式进行了详细的实验研究,研究了偏置电压和触发光脉冲能量、触发光脉冲个数、触发光脉冲间隔对光导开关输出的影响;发现了光电导开关非线性导通时的载流子累加效应;研究了非线性导通对光电导开关材料的损伤物理机制。
补充资料:多数载流子
分子式:
CAS号:
性质:在掺杂半导体,即非本征半导体中主要承担电导的载流子,简称多子,如n型半导体的电子,p型半导体的空穴。
CAS号:
性质:在掺杂半导体,即非本征半导体中主要承担电导的载流子,简称多子,如n型半导体的电子,p型半导体的空穴。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条