NMOS管,NMOSFET,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) NMOSFET

NMOS管

The ionizing radi ation responses of NPN bipolar transisto r and NMOSFET at different dose-rates ha ve been investigated.

研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。

2) all-N-transistor(ANT)

全NMOS管逻辑（ANT）

3) Palladium nanoparticles

nm-Pd

4) 980 nm

980 nm

Packaging technology of uncooled 980 nm pump laser has been studied.

文中对非制冷980 nm 泵浦激光器的封装技术进行了研究。

5) 193 nm

193 nm

6) OWL-NM

OWL-NM

参考词条

nm级磨粒 nm-Ru/GC 碳nm管 nm-Pt/GC μm/nm技术 nm级制造 nm级形貌亚100 nm 伪NM代数 nm生物学 NM（R_0）代数 NM 代数 NM代数 1341.4 nm激光核基质（NM） 1 550 nm 微粉自体移植静脉模型

补充资料：NMOS集成逻辑门

NMOS集成逻辑门
NMOS integrated logic gate

　　闪MOSI}chengl日ojlmenNMOS集成逻辑门(NMOS integrated IOgicgate)全部使用N沟道Mos管构成的集成逻辑门电路，又称NMOS集成门。NMOS集成逻辑门工作速度比PMOS集成逻辑门要快，它在电子计算机中得到广泛应用。一个NMOS反相器(非门)电路如图1所示。图中Vl为驱动管，VZ为负载管，它们都是N沟道管。电源电压UDD=+12V，UTI和UTZ分别为Vl和VZ的开启电压(约等于+4V)。 NMOS集成电路，一般按正逻辑规定:高电平为1，低电平为O。在图1中，当UiUTI时(输入高电平)，Vl管和VZ管均导通，输出低电平石图1 NMOS反相器(非门)UoL RoNzRoN工+RoN:UoD，式中RoNI和凡NZ分别为Vl和VZ的漏源导通电阻。一般尺oN:《RoN:，故U。:、IV。由上可知，该电路是一个反相器(非门)。对图2来说，可证明其输出的逻辑表达式为L~L二A·B峭卜瓣庄图2 NMOS与非门(正逻辑)图3 NMOS或非门(正逻辑)A·B(正逻辑的与非门)。对图3来说，可证明其输出的逻辑表达式为L一A干B(正逻辑的或非门)。蝉卜NMOS逻辑门尚有与或非门、异或门和三态输出门等。-
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) NMOSFET NMOS管 1. The ionizing radi ation responses of NPN bipolar transisto r and NMOSFET at different dose-rates ha ve been investigated. 研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。 2) all-N-transistor(ANT) 全NMOS管逻辑（ANT） 3) Palladium nanoparticles nm-Pd 4) 980 nm 980 nm 1. Packaging technology of uncooled 980 nm pump laser has been studied. 文中对非制冷980 nm 泵浦激光器的封装技术进行了研究。 5) 193 nm 193 nm 6) OWL-NM OWL-NM 参考词条 nm级磨粒 nm-Ru/GC 碳nm管 nm-Pt/GC μm/nm技术 nm级制造 nm级形貌亚100 nm 伪NM代数 nm生物学 NM（R_0）代数 NM 代数 NM代数 1341.4 nm激光核基质（NM） 1 550 nm 微粉自体移植静脉模型补充资料：NMOS集成逻辑门 NMOS集成逻辑门 NMOS integrated logic gate 　　闪MOSI}chengl日ojlmenNMOS集成逻辑门(NMOS integrated IOgicgate)全部使用N沟道Mos管构成的集成逻辑门电路，又称NMOS集成门。NMOS集成逻辑门工作速度比PMOS集成逻辑门要快，它在电子计算机中得到广泛应用。一个NMOS反相器(非门)电路如图1所示。图中Vl为驱动管，VZ为负载管，它们都是N沟道管。电源电压UDD=+12V，UTI和UTZ分别为Vl和VZ的开启电压(约等于+4V)。 NMOS集成电路，一般按正逻辑规定:高电平为1，低电平为O。在图1中，当UiUTI时(输入高电平)，Vl管和VZ管均导通，输出低电平石图1 NMOS反相器(非门)UoL RoNzRoN工+RoN:UoD，式中RoNI和凡NZ分别为Vl和VZ的漏源导通电阻。一般尺oN:《RoN:，故U。:、IV。由上可知，该电路是一个反相器(非门)。对图2来说，可证明其输出的逻辑表达式为L~L二A·B峭卜瓣庄图2 NMOS与非门(正逻辑)图3 NMOS或非门(正逻辑)A·B(正逻辑的与非门)。对图3来说，可证明其输出的逻辑表达式为L一A干B(正逻辑的或非门)。蝉卜NMOS逻辑门尚有与或非门、异或门和三态输出门等。- 　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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