1) dielectric groove isolation
介质槽隔离
1.
A new type of SiCOI MESFET device s tructure, SiCOI MESFET with dielectric groove isolation, is presented.
提出了一种新型的 Si COIMESFET器件结构 ,即介质槽隔离 Si COIMESFET。
2) Deep trench isolation
深槽介质隔离
3) multi-step dielectric groove isolation
多台阶介质槽隔离
1.
A new type of device structure,SiCOI MESFET with multi-step dielectric groove isolation,is presented.
用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 。
4) Dielectric isolation
介质隔离
1.
This paper applied MEMS processing technology to make sensor component and special dielectric isolation packaging process,developed pressure sensor;and produced several technical innovations on cavity inner filling frame,oil filled location and corrugated diaphragm,which improved product s filter pulse pressure,anti-over loading,and temperature factor.
运用MEMS工艺技术制作的敏感元件和介质隔离特殊封装工艺,研制出压力传感器。
6) Fully dielectric isolation
全介质隔离
补充资料：V型隔离开关
V型隔离开关
V type disconnecting switch
Vx一ng gel一kaiguanV型用离开关(vty咪disconnectingswiteh) 由两个呈V型布t的绝缘支柱组成的膝离开关。其导电活动有结构与双柱水平旋转式隔离开关(见双柱式除离开关)的相同，也是借助于两个支柱的转动来完成隔离开关的开断和闭合操作。由于两个支柱共用一个底座，因此简化了隔离开关的结构和安装支架.其结构示愈如图所示。V型隔离开关结构简单，操作灵巧，属于轻型电气装t，在35~110 kV邢电装1中应用广泛。在220 kV及以上的配电装t中.由于受支柱绝像子强度的限制，难于将两个绝缘支柱布t成V型结构，所以一般不用V型隔离开关。V型隔离开关
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参考词条