1) nearby Si surface
近硅表面
1.
In order to further reveal the whole diffusion characters and distribution behaviors of Ga impurity in SiO2/Si system, the changeable concentration laws of Ga impurity at puny region of the nearby Si surface, under different temperatures and different atmosphere in invariable resource diffusion, finite resource diffusion and re-oxygenation process are investigated by SRP.
为进一步揭示Ga在SiO_2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究。
2) vicinal Si surface
硅邻近面
3) Silicon surface
硅表面
1.
Covalently tethered hydrophilic polymer brushes on oriented single crystal silicon surface via ATRP(Ⅰ);
亲水性聚合物刷通过原子转移自由基聚合以化学键接方式接枝在单晶硅表面(Ⅰ)
2.
Silicon surface is first oxidized with H2SO4:H2O2,and then etched with HF:C2H5OH.
本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法,它主要包括H2SO4∶H2O2溶液清洗和HF:C2H5OH刻蚀两个过程。
3.
To Si surface and hydroxylate silicon surface,it became bigger.
本研究小组曾简要报道过扫描速率对Au衬底表面分子沉积膜(MD)的纳米摩擦特性的影响[1],本文利用原子力显微镜(AFM)研究了硅表面、羟基化硅表面、氨丙基硅烷(aminopropylsilanized简称APS)化硅表面及硅衬底上磺化酞菁铜(CuT sPc)单层MD膜表面的摩擦力随针尖扫描速率变化的规律。
4) silicon {100} surface
硅{100}表面
6) silicon wafer surface
硅片表面
1.
TheGFAAS results indicate that Cu contamination on silicon surface can be reduced remarkably whenadding chelating agent, which could not only react with cupric ion in solution but also compete withit on adsorption of silicon wafer surface.
研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积。
补充资料：硅表面活性剂
分子式：
CAS号：
性质：疏水基为以聚硅氧烷为主体的表面活性剂。硅氧烷有很强的疏水性，故这类表面活性剂有强的表面活性，且耐腐蚀、耐高温、无毒性。主要用作泡沫稳定剂、消泡剂、纺织物柔软剂和整理剂、原油破乳剂及防蜡剂以及各种润滑脱模剂等。
CAS号：
性质：疏水基为以聚硅氧烷为主体的表面活性剂。硅氧烷有很强的疏水性，故这类表面活性剂有强的表面活性，且耐腐蚀、耐高温、无毒性。主要用作泡沫稳定剂、消泡剂、纺织物柔软剂和整理剂、原油破乳剂及防蜡剂以及各种润滑脱模剂等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条