1) close-spaced sublimation
近空间升华法
1.
The XRD,SEM analysis methods were used to research the properties of the CdTe thin-films deposited on glass substrate abraded at different times,by the close-spaced sublimation technique.
利用近空间升华法在经过不同打磨处理的玻璃衬底上制备了CdTe薄膜,用X射线衍射仪,扫描电镜表征了CdTe薄膜的微结构。
2.
Polycrystalline thin CdS films were grown respectively on transparent conductive glass and ordinary glass substrate by close-spaced sublimation(CSS) and electron beam evaporation(EBE) method.
分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜。
2) close-spaced sublimation
近空间升华
1.
Effect of increasing temperature process and atmosphere pressure on CdTe oolv crvstalline thin films in close-spaced sublimation;
升温过程和气压在近空间升华沉积CdTe多晶薄膜中的作用
3) close-space sublimation
近空间升华沉积法
4) close-spaced sublimation(CSS)
近空间升华(CSS)
5) The time of sublimation vacuum freeze-drying
真空冷冻干燥升华时间
6) vacuum sublimation
真空升华
1.
Recovery of magnesium from rejected magnesium alloy by vacuum sublimation process-magnesium alloy treating technology;
真空升华法从废镁合金中回收镁——镁合金无害化处理技术
补充资料：升华再结晶法
升华再结晶法
一正二产p枯.;、/sublimate reerystallizationmethod
、止理J而习卜产升华再结晶法sublimate reerystallizationmethod应用物质升华再结晶的原理制备单晶的方法。物质通过热的作用，在熔点以下由固态不经过液态直接转变为气态，而后在一定温度条件下重新再结晶，称升华再结晶。1891年R.洛伦茨(Lorenz)利用升华再结晶的基本原理生长硫化物小的晶体。1950年D.C.莱诺尔兹(Reynolds)以粉末状CdS为原料用升华再结晶方法制备了3X3火6mm的块状CdS晶体。1961年W.W.培皮尔(PIPer)用标准升华再结晶的方法生长了直径为13mm的CdS单晶。升华再结晶法已成为生长H一砚族化合物半导体单晶材料的主要方法之一。 物质在升华过程中，外界要对固态物质作功，使其内能增加，温度升高。为使物质的分子气化，单位物质所吸收的热量必须大于升华热(即熔解热和气化热之和)，以克服固态物质的分子与周围分子的亲合力和环境的压强等作用。获得足够能量的分子，其热力学自由能大大增加。当密闭容器的热环境在升华温度以上时，该分子将在容器的自由空间内按布朗运动规律扩散。如果在该容器的另一端创造一个可以释放相变潜热(即相变过程中单位物质放出的热量)的环境，则将发生凝华作用而生成凝华核即晶核。在生长单晶的情况下，释放相变潜热，一般采用使带冷指的锥形体或带冷指的平面处于一定的温度梯度内，并使尖端或平面的一点温度最低，此处形成晶核的几率最大。根据科赛尔结晶生长理论，一旦晶核形成，新的二维核将沿晶核周边阶梯继续进行排列，当生长一层分子后，在其平坦的结晶面上将有新的二维核形成，进而生成另一层新的分子层。决定晶体生长的3个基本要素是表征系统自由能变化的临界半径、二维核存在的几率和二维核形成的频度。升华再结晶法可用于熔点下分解压力大的材料，如制备CdS、ZnS、Cdse等单晶。其缺点是生成速率慢，生长条件难以控制。(刘锡田)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条