1) naphthalene sublimation method
萘升华法
1.
In this paper,some problems in the current researches on external convective heat transfer of buildings are analyzed,and a new naphthalene sublimation method is developed for the field measurement of external convective heat-transfer coefficient(CHTC) of building roof.
最后通过一个热平衡法的实验对文中提出的萘升华法做了验证。
2) naphthalene sublimation
萘升华
1.
Experimental analogy for convective heat transfer on rolling tire surface by naphthalene sublimation;
滚动轮胎表面对流换热的萘升华模拟研究
2.
At first, the local and overall heat transfer coefficients are obtained with the Reynolds number ranging from 7 000 to 65 000, by heat-mass transfer analogy and the naphthalene sublimation technique.
通过热质比拟和萘升华技术,获得了雷诺数在7000~65000范围内的局部和平均对流换热系数,通过比较不同类型椭圆管的实验结果,阐明了长径比k的影响,首次给出了Nu=f(k,Re,Pr)形式的实验关联式。
3) sublimed naphthalene
升华萘
4) naphthalene sublimation technique
萘升华技术
1.
The Experimental Study of the Heat and Mass Transfer between Gas and Particles in Circulating Fluidized Beds Using Naphthalene Sublimation Technique;
为了更好的设计、应用循环流化床燃烧设备，作者设计并搭建了循环流化床模型实验台，并首次用萘升华技术对循环流化床内气体和颗粒两相间的传热传质特性和流体动力学特性进行了尝试性研究。
5) naphthalene sublimation
萘升华实验
6) naphthalene sublimation technique
萘升华模拟实验
1.
Experiment of gas-particle inter-phase heat transfer in fluidized beds using naphthalene sublimation technique;
流化床内气粒两相间传热的萘升华模拟实验研究
补充资料：升华再结晶法
升华再结晶法
一正二产p枯.;、/sublimate reerystallizationmethod
、止理J而习卜产升华再结晶法sublimate reerystallizationmethod应用物质升华再结晶的原理制备单晶的方法。物质通过热的作用，在熔点以下由固态不经过液态直接转变为气态，而后在一定温度条件下重新再结晶，称升华再结晶。1891年R.洛伦茨(Lorenz)利用升华再结晶的基本原理生长硫化物小的晶体。1950年D.C.莱诺尔兹(Reynolds)以粉末状CdS为原料用升华再结晶方法制备了3X3火6mm的块状CdS晶体。1961年W.W.培皮尔(PIPer)用标准升华再结晶的方法生长了直径为13mm的CdS单晶。升华再结晶法已成为生长H一砚族化合物半导体单晶材料的主要方法之一。 物质在升华过程中，外界要对固态物质作功，使其内能增加，温度升高。为使物质的分子气化，单位物质所吸收的热量必须大于升华热(即熔解热和气化热之和)，以克服固态物质的分子与周围分子的亲合力和环境的压强等作用。获得足够能量的分子，其热力学自由能大大增加。当密闭容器的热环境在升华温度以上时，该分子将在容器的自由空间内按布朗运动规律扩散。如果在该容器的另一端创造一个可以释放相变潜热(即相变过程中单位物质放出的热量)的环境，则将发生凝华作用而生成凝华核即晶核。在生长单晶的情况下，释放相变潜热，一般采用使带冷指的锥形体或带冷指的平面处于一定的温度梯度内，并使尖端或平面的一点温度最低，此处形成晶核的几率最大。根据科赛尔结晶生长理论，一旦晶核形成，新的二维核将沿晶核周边阶梯继续进行排列，当生长一层分子后，在其平坦的结晶面上将有新的二维核形成，进而生成另一层新的分子层。决定晶体生长的3个基本要素是表征系统自由能变化的临界半径、二维核存在的几率和二维核形成的频度。升华再结晶法可用于熔点下分解压力大的材料，如制备CdS、ZnS、Cdse等单晶。其缺点是生成速率慢，生长条件难以控制。(刘锡田)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条