1) median infrared
中速红外
3) fast infrared
快速红外
4) mid-infrared
中红外
1.
Analysis of laser intensification by nodular defects in mid-infrared high reflectance coatings;
节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析
2.
A Mid-infrared Multi-component Gas Detecting System Based on Single-Chip Computer;
基于单片机的中红外多组分气体检测系统
3.
Laser-induced heating of mid-infrared high reflectance coatings;
中红外高反膜的激光热场分析
5) middle infrared
中红外
1.
Research and characteristic analysis for coatings in middle infrared lasers;
中红外激光薄膜的研究与特性分析
2.
A series of techniques for optical thin films at middle infrared band are discussed in the paper,including edge filters,high reflection and antireflection coatings.
文章讨论了中红外波段激光器使用的一系列光学薄膜的设计方法和制备工艺。
6) Mid infrared
中红外
1.
High energy output complex cavity pump optical parametric oscillator in the mid infrared;
中红外高能量输出复合腔抽运光参量振荡器(英文)
2.
It is recommended to enhance the study on generation of tunable mid infrared ultrashort laser pulses in order to stimulate the investigation on the photon localization at mid infr.
概述了无序光学介质中光子局域化的理论基础及其研究内容 ,介绍了几个常用激光器进行强光子局域化现象观测的实验 ,总结了用超短脉冲激光器进行的光子局域化时域研究所取得的成果 ,建议加强中红外可调谐超短脉冲激光生成的研究以促进中红外光子局域化的研
3.
Based on the Mie scattering theory in mid infrared region at low concentration(10%), photon localization of random media with some anomalous dispersive dielectric spheres as scatterers, was realized, and strong photon localization was appeared in reststrahelm band freqances.
基于Mie散射理论研究发现 ,对于某些反常色散电介质球做散射体的无序介质 ,在较低浓度 (10 % )下 ,在中红外区可以实现一定的光子定域化 ,且频率位于各自的剩余射线带 。
补充资料：半导体中杂质和缺陷的红外吸收
半导体中杂质和缺陷的红外吸收
infrared absorption of impurities and defects in semiconductors
半导体中杂质和缺陷的红外吸收1 n fraredabsorPtion of imPurities and defeets in semieondue-tors研究和检测半导体材料中杂质和缺陷的一种方法。20世纪50年代初期，固体中杂质和缺陷的光谱研究就从理论和实验上发展起来。随着半导体技术的发展，研究半导体中杂质和缺陷行为已成为材料质量检验和半导体物理的一个重要部分。通过研究杂质和缺陷吸收光谱的特征参量(如吸收峰的频率、积分强度、半高宽和精细结构等)及其在各种外加条件下的变化，可以获得关于杂质和缺陷的电子状态和原子组态的信息。这些信息能揭示杂质和缺陷的本质，并提供较直接的证据。 测t原理和仪器光在均匀固体介质中传播时，光强按指数规律衰减。若不考虑样品的表面反射和多次内反射，一束入射强度为10的光，通过厚为d(cm)、吸收系数为a(cm一‘)的半导体样品，其出射光强为I。根据兰伯定律 I=Ioe一a己透过率为…I1=矛~一二e一 1。若考虑光线在样品表面的反射和在样品内部的多次内反射，则(1一R)Ze一“dl一R Ze一Zad式中R为反射系数。吸收系数a表征光吸收的强弱，对光子能量的依赖关系为吸收光谱。若d已知，测定T后即可求出a。 在测量过程中，当杂质吸收峰与晶格吸收峰不叠加时，可用无样品背景作参考光谱。若杂质吸收峰与晶格吸收峰叠加时，则可用不含杂质的样品作为参考样品，其厚度应与被测样品的厚度相同，以抵消叠加带、反射和散射的影响。吸收峰极大值处吸收系数通常采用基线法计算，即作吸收峰两侧的切线，求出在吸收峰极大值处从基线到吸收峰值的吸收系数、ax。 在测量杂质和缺陷的红外吸收时，为避免自由载流子吸收过大，样品应具有适当高的电阻率。而且，如果所观测的缺陷吸收峰与晶格声子吸收叠加时，应当限制样品的厚度，以便增加透射光强度，保证杂质和缺陷吸收峰的测量。通常，测量样品为双面抛光的平行板，厚度可为0.2一smm，样品的厚度视有无背景声子吸收和杂质吸收峰的吸收系数而定。 红外光谱测量一般在红外分光光度计上进行。这类仪器过去主要是色散型的棱镜或光栅光谱仪，近年，采用迈克尔逊干涉仪进行频率调制分光的傅里叶变换光谱仪亦被广泛使用。后一种仪器已用于半导体材料的杂质和缺陷的测量和研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条