1) P-well
P阱
1.
Effects of the thickness of gate oxide and SOI layer, implant dosages of the drift region and P-well, and the field-plate length on C_ gd are also discussed.
借助软件,模拟并研究了SOILDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOILDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法。
2) p-type quantum well
p型量子阱
3) Pschl-Teller well
Pschl-Teller势阱
4) p well diffusion
p 阱形成扩散
5) p well mask
p 阱形成掩膜
6) p-n junction double well Class Ⅰ RITD
p-n结双势阱Ⅰ类RITD
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条