1) enhanced F-N tunneling
增强F-N隧穿
1.
A novel flash memory cell with stacked structure (Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/poly-Si floating gate) is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing.
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。
2) Fowler-Nordheim(F-N) tunneling
FOWLER-NORDHEIM(F-N)隧穿
3) F-N tunnel effect
F-N隧穿模型
4) F-N tunneling current
F-N隧穿电流
5) fluorinated tunneling-oxide
F化隧穿氧化层
6) NP tunnel
N/P隧穿结
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
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参考词条