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1)  enhanced F-N tunneling
增强F-N隧穿
1.
A novel flash memory cell with stacked structure (Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/poly-Si floating gate) is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing.
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。
2)  Fowler-Nordheim(F-N) tunneling
FOWLER-NORDHEIM(F-N)隧穿
3)  F-N tunnel effect
F-N隧穿模型
4)  F-N tunneling current
F-N隧穿电流
5)  fluorinated tunneling-oxide
F化隧穿氧化层
6)  NP tunnel
N/P隧穿结
补充资料:隧穿效应
分子式:
CAS号:

性质:见隧道效应。

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